Фотолктереские опрааторы (10195)

Сознание	Проиджодель	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	Управый	МОНТАНАНГИП	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	ТИПВ	Статус Ройс	Опуликовано	ТЕГИНЕСКАЯ	PakeT / KORPUES	СОУДНО ПРИОН	Колист	Доленитейн Ая	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	МАКСИМАЛЕВАЯ	Колист. Каналов	R.	Колист	Колист	ПАКЕТИВАЕТСЯ	В конце концов	Vpreged	Втипа	МАКСИМАЛНГАН	Ведьтока-макс	МООНТАНАНА	Верна	Я не могу	Коунфигура	Naprayжeniee - yзolyahip	Power Dissipation-Max	Опрена	Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera	NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo)	МАККСКОЛЕРНА	На	Верна	Current - DC Forward (if) (max)	В канусе	Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN	Ток -	На	Коэффигиэнт Переносатока (мин)	Коэффигиэнт Передахитока (МАКС)	Klючite / vыklючite -veremymape (typ)	Vce nassheeneee (mmaks)
TLP781 (LF6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
PC123J00000F	Оправовов		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	Чereз dыru	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)			ТОК	ROHS COMPRINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)	СОУДНО ПРИОН	4	Уль Прринанана		НЕИ	E6/E2	Орювовм/Олоуаль		200 м		200 м	1			70В	5 май	Траншистор				18 мкс	18 мкс	Одинокий	5000 дней		6в	200 м	70В	50 май	1,2 В.	4 мкс 3 мкс		50 май				50% @ 5MA	400% @ 5MA
TLP785F (BLL-T7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (Tels, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК				4-Dip (0,300, 7,62 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4GRF7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-Tels, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-FUNBL, F.	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	200% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (BLL, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)			Уль Прринанана							1		1					Траншистор		0,06а				Одинокий	5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-Grl-FD, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-GR-TC, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (GRL-T7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4Y-F7, F.	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (D4B-T6, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-BLL, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)			Уль прринана, одаж							1		1					Траншистор		0,025а				Одинокий	5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (GRL-TP6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (BL-TP6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК	ROHS COMPRINT	2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло			Уль Прринанана					Не	250 м	1		1					Траншистор	60 май	0,025а	Чereз krepleneee oTwerStiqueavy			Одинокий	5000 дней				80	50 май	1,15 В.	2 мкс 3 мкс				50 май		200% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (BLL-LF6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (GB-TP7, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-SMD, крхло			Ульюргин							1		1					Траншистор		0,025а				Одинокий	5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
PC724V0NSZXF	Оправовов	$ 4,65	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	Чereз dыru	-25 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	100 ° С	-25 ° С	ТОК	ROHS COMPRINT	2004	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc724v0nszxf-datasheets-7147.pdf	6-Dip (0,300, 7,62 мм), 5 проводников	СОУДНО ПРИОН	6		Не					320 м	1			1	6-Dip	35		Траншистор	150 май			4 мкс			5000 дней			200 м	35	80 май	1,4 В.	4 мкс 3 мкс	150 май	80 май		80 май	35	20% @ 100ma	80% @ 100ma		200 м
TLP785F (D4-YH, F.	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)			ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE					Не		1		1					Траншистор		0,025а				Одинокий	5000 дней	0,24 м					1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4B-T7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (GB-TP7, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-Grl, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)			Уль прринана, одаж							1		1					Траншистор		0,025а				Одинокий	5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4GHF7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК		2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-YH-TP6, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4BLF7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-SMD, крхло										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	200% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (GRH-TP6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	150% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4yht7, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4GRF7TC, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)			ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										1							Траншистор							5000 дней						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м

Фотолктереские опрааторы (10195)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии