Фотолктереские опрааторы (10195)

Сознание	Проиджодель	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	Управый	МОНТАНАНГИП	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	ТИПВ	Статус Ройс	Опуликовано	ТЕГИНЕСКАЯ	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	СОУДНО ПРИОН	Верна -	Колист	Доленитейн Ая	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	МАКСИМАЛЕВАЯ	Колист. Каналов	R.	Колист	В конце концов	Vpreged	Втипа	МАКСИМАЛНГАН	Ведьтока-макс	МООНТАНАНА	Верна	Я не могу	Коунфигура	Верна	Naprayжeniee - yзolyahip	Power Dissipation-Max	Опрена	Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles	Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera	NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo)	МАККСКОЛЕРНА	На	Верна	Current - DC Forward (if) (max)	Охрация.	В канусе	КОГФИГИОНТА	Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN	Ток -	На	ТЕМНЕСА	Коэффигиэнт Переносатока (мин)	Коэффигиэнт Передахитока (МАКС)	Klючite / vыklючite -veremymape (typ)	Vce nassheeneee (mmaks)
TLP785F (D4-YH, F.	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)							ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE					Не		1		1			Траншистор		0,025а				Одинокий		5000 дней	0,24 м						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май				80	50 май	80		75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4B-T7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (GB-TP7, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-Grl, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)							Уль прринана, одаж							1		1			Траншистор		0,025а				Одинокий		5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май				80	50 май	80		100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4GHF7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4GRT7TC, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (YH-LF6, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-SMD, крхло														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (ф	Toshiba semiconductor и хraneneee	$ 0,53	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)	4,6 мм	3,5 мм	6,5 мм		4 neDe		Ульюргин					Не	240 м	1		1		16ma	Траншистор				2 мкс	3 мкс	Одинокий		5000 дней			80	400 м	80	10 май	1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май	5в				50 май			50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4DLTGRL, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4GBT7, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4ADGBT7, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (BLL-F7, F.	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4YH-TP7, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-GR-TC, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (BLL-TP6, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-SMD, крхло							ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE					Не		1		1			Траншистор		0,025а	Чereз krepleneee oTwerStiqueavy			Одинокий	0,000003 с	5000 дней	0,24 м						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май				80	50 май	80		200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-GR, F, W)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (GRH, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		150% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
PC715V0SZXF	Оправовов		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	Чereз dыru	-25 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	2005	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0yszxf-datasheets-7109.pdf	6-Dip (0,300, 7,62 мм), 5 проводников				СОУДНО ПРИОН		6	Уль прринана, одаж			E2	Олово/Мюдер (sn/cu)		170 м	1		1	35		Дэйрлингтон	50 май	0,05а		60 мкс		Одинокий		5000 дней				1V	35	80 май	1,2 В.	60 мкс 53 мкм	50 май		80 май						600% @ 1MA	7500% @ 1MA
TLP781F (Y-LF7, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-GRL-TC, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4GHT7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			/files/toshibasemyonductorandStorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
PC853XIJ000F	Оправовов		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Пефер	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	2005	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xpj000f-datasheets-3536.pdf	4-SMD, крхло				СОУДНО ПРИОН		4	Уль Прринанана		НЕИ	E2	Олово/Мюдер (sn/cu)		320 м	1		1	350	1MA	Дэйрлингтон				100 мкс		Одеяно -наз.		5000 дней				1,2 В.	1,2 В.	150 май		100 мкс 20 мкс	50 май		150 май	4000%				200NA	1000% @ 1MA
TLP785 (GRL-TP6, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf	4-SMD, крхло							Ульюргин					Не		1		1			Траншистор		0,025а	Чereз krepleneee oTwerStiqueavy			Одинокий		5000 дней	0,24 м						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май				80	50 май	80		100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-BLL, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)							Уль прринана, одаж							1		1			Траншистор		0,06а				Одинокий		5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май				80	50 май	80		200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4GRH-LF6, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		150% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-GR-TP6, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло					12	4		Не					250 м	1	250 м	1		16ma	Траншистор	60 май							5000 дней		5в		400 м	80	50 май	1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май						80		100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс
TLP785F (D4-Y, F.	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)							ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE					Не		1		1			Траншистор		0,025а				Одинокий		5000 дней	0,24 м						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май				80	50 май	80		50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (TP6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло						4							250 м	1	250 м	1		60 май	Траншистор	60 май							5000 дней		5в			80	50 май	1,15 В.	2 мкс 3 мкс						50 май			50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
8430060000	Weidmuller		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Din Rail	Din Rail	-25 ° C ~ 50 ° C.	МАССА	Neprigodnnый	ТОК	ROHS COMPRINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weidmller-4058570000-datasheets-8112.pdf	Модул				СОУДНО ПРИОН										1			24		Траншистор																			5A				24
TLP781F (GB-LF7, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло														1					Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май					50 май	80		100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м

Фотолктереские опрааторы (10195)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии