Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Длина	Высота	Ширина	Без свинца	Срок выполнения заказа на заводе	Количество контактов	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Выходное напряжение	Прямой ток	Тип выхода	Максимальный входной ток	Прямой ток-макс.	Особенности монтажа	Время подъема	Осень (тип.)	Конфигурация	Время отклика-Макс.	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Обратное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Обратное напряжение (постоянный ток)	Выходной ток на канале	Текущий коэффициент передачи	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Темный ток-Макс.	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
TLP785F(D4-YH,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)							ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE					НЕТ		1		1			Транзистор		0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт						1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				80В	50 мА	80В		75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП785Ф(Д4Б-Т7,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП781Ф(ГБ-ТП7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(Д4-ГРЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)							ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ							1		1			Транзистор		0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				80В	50 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(D4GHF7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4GRT7TC,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785(YH-LF6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-СМД, Крыло Чайки														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	0,53 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)	4,6 мм	3,5 мм	6,5 мм		4 недели		УТВЕРЖДЕНО УЛ					НЕТ	240мВт	1		1		16 мА	Транзистор				2 мкс	3 мкс	ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)			80В	400мВ	80В	10 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА	5В				50 мА			50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4DLTGRL,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП785Ф(Д4ГБТ7,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4ADGBT7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(БЛЛ-Ф7,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		200% при 5 мА	400% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4YH-TP7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-GR-TC,F)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП785(БЛЛ-ТП6,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-СМД, Крыло Чайки							ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE					НЕТ		1		1			Транзистор		0,025А	КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ			ОДИНОКИЙ	0,000003 с	5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт						1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				80В	50 мА	80В		200% при 5 мА	400% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(Д4-GR,Ф,Ш)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(GRH,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC715V0YSZXF	Острая микроэлектроника		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2005 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0yszxf-datasheets-7109.pdf	6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов				Без свинца		6	ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ			е2	Олово/Медь (Sn/Cu)		170 мВт	1		1	35В		Дарлингтон	50 мА	0,05А		60 мкс		ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)				1В	35В	80 мА	1,2 В	60 мкс 53 мкс	50 мА		80 мА						600% при 1 мА	7500% при 1 мА
TLP781F(Y-LF7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-GRL-TC,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(D4GHT7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			/files/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC853XIJ000F	Острая микроэлектроника		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-30°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2005 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xpj000f-datasheets-3536.pdf	4-СМД, Крыло Чайки				Без свинца		4	УЛ ПРИЗНАЛ		неизвестный	е2	Олово/Медь (Sn/Cu)		320мВт	1		1	350В	1 мА	Дарлингтон				100 мкс		ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ		5000 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	1,2 В	150 мА		100 мкс 20 мкс	50 мА		150 мА	4000%				200нА	1000% при 1 мА
ТЛП785(ГРЛ-ТП6,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf	4-СМД, Крыло Чайки							УТВЕРЖДЕНО УЛ					НЕТ		1		1			Транзистор		0,025А	КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ			ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт						1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				80В	50 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-BLL,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)							ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ							1		1			Транзистор		0,06А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				80В	50 мА	80В		200% при 5 мА	400% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4GRH-LF6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-GR-TP6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки					12 недель	4		Нет					250 мВт	1	250 мВт	1		16 мА	Транзистор	60 мА							5000 В (среднеквадратичное значение)		5В		400мВ	80В	50 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА						80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс
TLP785F(D4-Y,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)							ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE					НЕТ		1		1			Транзистор		0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт						1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				80В	50 мА	80В		50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП781(ТР6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки						4							250 мВт	1	250 мВт	1		60 мА	Транзистор	60 мА							5000 В (среднеквадратичное значение)		5В			80В	50 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс						50 мА			50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
8430060000	Вайдмюллер		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	DIN-рейка	DIN-рейка	-25°К~50°К	Масса	Непригодный	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2006 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weidmller-4058570000-datasheets-8112.pdf	Модуль				Без свинца										1			24В		Транзистор																			5А				24В
TLP781F(ГБ-LF7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки														1					Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА					50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии