Фотолктереские опрааторы (10195)

Сознание	Проиджодель	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	Управый	МОНТАНАНГИП	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	ТИПВ	Статус Ройс	Опуликовано	ТЕГИНЕСКАЯ	PakeT / KORPUES	Вес	Шyrina	СОУДНО ПРИОН	Верна -	Агентево	DOSTIчSH SVHC	Колист	Свины	PBFREE CODE	Доленитейн Ая	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	ТЕКУИГИГ	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Naprayeseee	Пефер	МАКСИМАЛЕВАЯ	Колист. Каналов	R.	Колист	МАКСИМАЛНА	В конце концов	Vpreged	Втипа	МАКСИМАЛНГАН	Ведьтока-макс	МООНТАНАНА	Верна	Я не могу	Коунфигура	Верна	Naprayжeniee - yзolyahip	Power Dissipation-Max	Опрена	Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles	Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera	NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo)	МАККСКОЛЕРНА	На	Верна	Current - DC Forward (if) (max)	В канусе	Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN	Ток -	На	Коэффигиэнт Переносатока (мин)	Коэффигиэнт Передахитока (МАКС)	Klючite / vыklючite -veremymape (typ)	Vce nassheeneee (mmaks)
TLP781F (D4-YH, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (Tels, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (GRH-TP7, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	150% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4GRT7FD, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4GRT6-SD, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (D4-Y-T6, F.	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (YH, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										Ульюргин							Не		1		1				Траншистор		0,025а				Одинокий		5000 дней	0,24 м						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4GRL-TP6, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	2017	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло				14													Не		1		1				Траншистор		0,025а	Чereз krepleneee oTwerStiqueavy					5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-LF6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (BLL, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										Уль Прринанана									1		1				Траншистор		0,06а				Одинокий		5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-Fungr, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-FUN, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4GRH-T7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)							4		в дар	Уль прринана, одаж	Не			E3	Олово (sn)			250 м	1	250 м	1			60 май	Траншистор	60 май					Одинокий		5000 дней		5в			80	50 май	1,15 В.	2 мкс 3 мкс				50 май		150% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (Y-TP6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло							4										Не	250 м	1		1			16ma	Траншистор			Чereз krepleneee oTwerStiqueavy					5000 дней				400 м	80	50 май	1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май				80	50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс
TLP781F (GRL-TP7, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (BL-LF6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	200% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4BLL-F7, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
PC817X9J000F	Оправовов		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	Чereз dыru	-30 ° C ~ 100 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	2005	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)			СОУДНО ПРИОН				4			Уль Прринанана			НЕИ	E6	Олово/Висмут (sn/bi)			200 м		200 м	1		80	5 май	Траншистор				18 мкс	18 мкс	Одинокий		5000 дней		6в		200 м	80	50 май	1,2 В.	4 мкс 3 мкс		50 май				130% @ 5MA	600% @ 5MA
8430060000	Weidmuller		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Din Rail	Din Rail	-25 ° C ~ 50 ° C.	МАССА	Neprigodnnый	ТОК	ROHS COMPRINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weidmller-4058570000-datasheets-8112.pdf	Модул			СОУДНО ПРИОН																1				24		Траншистор																		5A			24
TLP781F (GB-LF7, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4-GB, F.	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)										ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE							В дар		1		1				Траншистор		0,025а	Пефер			Одинокий	0,000003 с	5000 дней	0,24 м						1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-Fungb, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
PC357NTJ000F	Оправовов	$ 0,36	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Пефер	-30 ° C ~ 100 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT	1997		4-SMD, крхло	20 май	5,3 мм	СОУДНО ПРИОН		UL	НЕИ	4	2,54 мм			Не	5A		E2	Олово/Мюдер (sn/cu)	80		170 м		170 м	1	80	80	50 май	Траншистор	50 май			18 мкс	18 мкс	Одинокий		3750vrms		6в	80	200 м	80	50 май	1,2 В.	4 мкс 3 мкс		50 май				50% @ 5MA	600% @ 5MA		200 м
TLP785F (GR-TP7, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-SMD, крхло										Ульюргин									1		1				Траншистор		0,025а				Одинокий		5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май		80	50 май	80	100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4GRT6-FD, ф	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-Dip (0,300, 7,62 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (GRH-LF6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	150% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-Y-TP7, f	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	ТОК	ROHS COMPRINT		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло							4		в дар	Уль прринана, одаж				E3	Олово (sn)				1	250 м	1			60 май	Траншистор						Одинокий		5000 дней		5в			80		1,15 В.	2 мкс 3 мкс				50 май		50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (y-lf6, f)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (GRL-LF6, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-SMD, крхло																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (Y, F)	Toshiba semiconductor и хraneneee		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Чereз dыru	-55 ° C ~ 110 ° C.		1 (neograniчennnый)	ТОК			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-DIP (0,400, 10,16 ММ)																			1						Траншистор								5000 дней							1,15 В.	2 мкс 3 мкс	60 май			50 май	80	50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м

Фотолктереские опрааторы (10195)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии