Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Напряжение - номинальное	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Входной ток	Высота	Ширина	Рабочее напряжение питания	Без свинца	Глубина	Срок выполнения заказа на заводе	Утверждающее агентство	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Максимальное напряжение питания	Минимальное напряжение питания	Количество контактов	Код Pbfree	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	мощность	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Количество цепей	Поставщик пакета оборудования	Максимальное выходное напряжение	Выходное напряжение	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Ток нагрузки	Максимальный входной ток	Тип оптоэлектронного устройства	Прямой ток-макс.	Особенности монтажа	Время подъема	Осень (тип.)	Конфигурация	Напряжение – изоляция	Обратное напряжение проба	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Выходной ток на канале	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
ТЛП781(Д4-ЛФ6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(БЛЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)														УЛ ПРИЗНАЛ								1		1							Транзистор				0,06А				ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	200% при 5 мА	400% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-FUNGR,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-FUN,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4GRH-T7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия	Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)												4	да	ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ	Нет			е3	Олово (Вс)		250 мВт	1	250 мВт	1					60 мА		Транзистор		60 мА						ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)	5В		80В	50 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс				50 мА		150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(Y-TP6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия	Соответствует RoHS	2014 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												4								НЕТ	250 мВт	1		1					16 мА		Транзистор					КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ				5000 В (среднеквадратичное значение)		400мВ	80В	50 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				80В	50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс
ТЛП781Ф(ГРЛ-ТП7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(BL-LF6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	200% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4BLL-F7,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	200% при 5 мА	400% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ПК817X9J000F	Острая микроэлектроника		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-30°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				округ Колумбия	Соответствует RoHS	2005 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)					Без свинца							4		УЛ ПРИЗНАЛ		неизвестный		е6	Олово/Висмут (Sn/Bi)		200мВт		200мВт	1				80В	5мА		Транзистор						18 мкс	18 мкс	ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)	6В	200 мВ	80В	50 мА	1,2 В	4 мкс 3 мкс		50 мА				130% при 5 мА	600% при 5 мА
8430060000	Вайдмюллер		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	DIN-рейка	DIN-рейка	-25°К~50°К	Масса	Непригодный				округ Колумбия	Соответствует RoHS	2006 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weidmller-4058570000-datasheets-8112.pdf	Модуль					Без свинца																	1						24В			Транзистор																	5А			24В
TLP781F(ГБ-LF7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC844IJ1J00F	Острая микроэлектроника		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-30°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	100°С	-30°С		переменный ток, постоянный ток	Соответствует RoHS	1997 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844ij1-datasheets-6942.pdf	16-ДИП (0,300, 7,62 мм)					Без свинца							16									200мВт	4	200мВт	4	4	16-ДИП		80В	50 мА	1,4 В	Транзистор						18 мкс	18 мкс		5000 В (среднеквадратичное значение)		200 мВ	80В	50 мА	1,2 В	4 мкс 3 мкс	50 мА	50 мА		50 мА	80В	20% при 1 мА	300% при 1 мА		200 мВ
TLP785(D4-GRH,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)														ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE								1		1							Транзистор				0,025А				ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-YH,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(ТЕЛС,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(GRH-TP7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4GRT7FD,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4GRT6-SD,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785(D4-Y-T6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4GRT6-FD,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(GRH-LF6,F)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-Y-TP7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												4	да	ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ				е3	Олово (Вс)			1	250 мВт	1					60 мА		Транзистор								ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)	5В		80В		1,15 В	2 мкс 3 мкс				50 мА		50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(Y-LF6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(ГРЛ-ЛФ6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(Д,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)				округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																						1									Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC3H712NIP0F	SHARP/Цокольная технология	1,73 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-30°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc3h712nip0f-datasheets-3983.pdf	4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм)					Без свинца							4		УЛ ПРИЗНАЛ				е2	Олово/Медь (Sn/Cu)		170 мВт		170 мВт	1			80В	80В	500 мкА		Транзистор		10 мА				18 мкс	18 мкс	ОДИНОКИЙ	2500 В (среднеквадратичное значение)	6В	200 мВ	80В	50 мА	1,2 В	4 мкс 3 мкс	10 мА	50 мА				200% при 500 мкА	500% при 500 мкА
PC713V0YSZX	Острая микроэлектроника		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				округ Колумбия	Не соответствует требованиям RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc713v0nszx-datasheets-6833.pdf	6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов					Содержит свинец							6		ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		неизвестный		е0	Олово/Свинец (Sn/Pb)			1		1				80В			Транзистор с базой			Транзисторный выход оптопара	0,05А		4 мкс		ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)			200 мВ		1,2 В	4 мкс 3 мкс		50 мА		50 мА		50% при 5 мА	600% при 5 мА
ПК364N1J000F	Острая микроэлектроника		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Разрезанная лента (CT)	1 (без блокировки)	100°С	-30°С		переменный ток, постоянный ток	Соответствует RoHS	2005 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc364n1j000f-datasheets-3985.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												4									170 мВт	1	170 мВт	1		4-мини-квартира	80В		10 мА	1,2 В	Транзистор		10 мА				18 мкс	18 мкс		3750 В (среднеквадратичное значение)		200 мВ	80В	50 мА			10 мА	50 мА		50 мА	80В	50% при 500 мкА	600% при 500 мкА		200 мВ
8019590000	Вайдмюллер		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	DIN-рейка	DIN-рейка	-25°К~40°К	Масса	Непригодный			24В	округ Колумбия	Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weidmller-8019590000-datasheets-7052.pdf	Модуль	6мА	65 мм	6 мм	24В	Без свинца	56 мм	3 недели	CE, EN	Неизвестный	48В	5В	4					145 МВт					1						48В			Транзистор	500 мА	6мА															500 мА

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии