Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W29GL512PH9T | Винбонд Электроникс | $29,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 56-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | Параллельно | 2,7 В~3,6 В | 56-ЦОП | 512Мб 64М х 8 32М х 16 | Энергонезависимый | 90 нс | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W968D6DAGX7I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w968d6dagx7itr-datasheets-3783.pdf | 54-ВФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 70нс | 133 МГц | ПСРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL512SL9T ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 56-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 32М х 16 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29N04GVSIAA | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29n04gvbiaa-datasheets-6910.pdf | 48-TFSOP (0,488, ширина 12,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 10 недель | да | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Г48 | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | ВСПЫШКА | Параллельно | 512MX8 | 8 | 25нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVTCIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jvssiqtr-datasheets-9939.pdf | 24-ТБГА | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W74M64JVSSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9725G6KB-18 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9725g6kb25-datasheets-2322.pdf | 84-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,9 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9751G8KB-25 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9751g8kb25-datasheets-1549.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9816G6JB-6 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9816g6jb6itr-datasheets-9673.pdf | 60-ТФБГА | 10,1 мм | 6,4 мм | 60 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25M512JVEIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25m512jvciq-datasheets-0833.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8NB12I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8nb11-datasheets-8483.pdf | 78-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X16VSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x16vsfigtr-datasheets-1665.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 7,49 мм | 16 | SPI, серийный | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 16 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,018 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX8 | 8 | 3 мс | 16777216 бит | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X80АВДАИЗ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 5,33 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x80avzpig-datasheets-1100.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,27 мм | 7,62 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | НЕТ | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 2,54 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 100 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 1MX8 | 8 | 3 мс | 8388608 бит | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL064CB7A | Винбонд Электроникс | 1,82 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl064cb7a-datasheets-5377.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 3A991.B.1.A | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,8 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б48 | 64Мб 8М х 8 4М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 64MX1 | 1 | 70нс | 67108864 бит | 8 | 0,000005А | 70 нс | ДА | ДА | ДА | 8127 | 8К64К | ДА | НИЖНИЙ | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL128CH9B | Винбонд Электроникс | 2,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl128ch9t-datasheets-5439.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 14 недель | 64 | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 3 В ДО 3,6 В. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 64 | 3,6 В | 2,7 В | 1,8/3,33/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | 128Мб 16М х 8 8М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX1 | 1 | 90 нс | 134217728 бит | 8 | 0,000005А | 100 нс | ДА | ДА | ДА | 128 | 128 тыс. | ДА | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64DWZPIG | Винбонд Электроникс | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64dwzeig-datasheets-5492.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 1,8 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | EAR99 | ВЕРХНИЙ/НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | 1 | 40 мА | 1,7 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 256КХ32 | 32 | 3 мс | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9816G6IH-6 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9816g6ih6i-datasheets-5405.pdf | 50-TSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 50 | 50 | 16 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 110 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | SPI, серийный | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 128MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 134217728 бит | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CLSSIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16clssig-datasheets-3517.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | 3/3,3 В | 0,018 мА | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 16777216 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W97BH2KBVX2E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w97bh2kbvx2e-datasheets-3586.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 134 | да | 1 | EAR99 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256PL9B | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256ph9t-datasheets-3540.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 14 недель | 64 | неизвестный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 256Мб 32М х 8 16М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 16MX16 | 16 | 90 нс | 268435456 бит | 8 | 90 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256SL9C | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256sh9t-datasheets-3542.pdf | 56-ТФБГА | 9 мм | 7 мм | 56 | 14 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б56 | 256Мб 16М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 16MX16 | 16 | 90 нс | 268435456 бит | 0,0001А | 90 нс | ДА | ДА | ДА | 256 | 64К | ДА | ДА | 16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9412G6KH-4 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 2,4 В~2,7 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 48нс | 250 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DVSSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8KB12I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8kb15-datasheets-3704.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 78 | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,34 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | 0,019А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG6JB-25 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6jb3i-datasheets-5367.pdf | 84-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6FBHX6E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d2fbjx5e-datasheets-6682.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVEIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FWXGIG ТР | Винбонд Электроникс | 1,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fwzpigtr-datasheets-9969.pdf | 8-XDFN Открытая площадка | 14 недель | 1,65 В~1,95 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6FBHX5E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d2fbjx5e-datasheets-6682.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс |
