Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Тип микросхемы памяти | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W9725G6IB-25 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9725g6ib25-datasheets-5830.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 84 | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,195 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | 0,006А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X10BVСНИГ | Винбонд Электроникс | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,72 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20bvsnig-datasheets-6541.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 16,5 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 1MX1 | 1 | 3 мс | 0,000005А | 1б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40CLDAIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 5,33 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x40clsnig-datasheets-9270.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,27 мм | 7,62 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,3 В ПРИ ЧАСТОТЕ 80 МГЦ. | 8542.32.00.51 | 1 | НЕТ | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 2,54 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДИП-Т8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 800 мкс | 4194304 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6FBHX6E | Винбонд Электроникс | $21,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d2fbjx5e-datasheets-6682.pdf | 60-ТФБГА | 9 мм | 1,8 В | 60 | 14 недель | 60 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 50 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9412G6JH-4 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9412g6jh5i-datasheets-5608.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 170 мА | 2,4 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,4 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 48нс | 250 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 12нс | 0,005А | ОБЩИЙ | 4096 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DVZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FWSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fwstigtr-datasheets-2592.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | 14 недель | SPI, серийный | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | Р-ПДСО-G16 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 64MX1 | 1 | 5 мс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q40BWZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q40bwsnig-datasheets-5420.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVBIF ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 24-ТБГА | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVSTIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jvdaiqtr-datasheets-9996.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80JVSNIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/winbondelectronics-w25q80jvssiq-datasheets-3111.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,85 мм | 3,9 мм | 8 | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 1MX8 | 8 | 3 мс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVDAIG | Винбонд Электроникс | 0,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 5,33 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvsf00-datasheets-5430.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,27 мм | 7,62 мм | 8 | 1 | НЕТ | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 2,54 мм | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 1 | 0,00005А | СПИ | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVBIP | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvfiptr-datasheets-5790.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б24 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 256MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 268435456 бит | СЕРИАЛ | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6MB-12 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6mb12tr-datasheets-7422.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 20 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG8MB15I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg8mb12-datasheets-1633.pdf | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6MB-15 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6mb12tr-datasheets-7422.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6MB12J | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6mb12-datasheets-1593.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG6KS-12 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | ДРУГОЙ | 95°С | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | ГДР ОЗУ | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6KB12J | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6kb15i-datasheets-3666.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FWBYIC ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fwbyigtr-datasheets-2990.pdf | 12-УФБГА, ВЛЦП | 14 недель | 1,65 В~1,95 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVPJQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25R128FVEIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25r128fveiq-datasheets-4333.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16FWUUIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16fwsnigtr-datasheets-9309.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JWUXIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jwzpiqtr-datasheets-9550.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG8MB09I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg8mb11j-datasheets-7557.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 1,067 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVXGJQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvzejqtr-datasheets-8915.pdf | 8-XDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64CVZPJG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64cvssjgtr-datasheets-8932.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CVSSJG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16cvssig-datasheets-5341.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | С-ПДСО-G8 | АЭК-Q100 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVPJP | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVFJF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс |
