Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W25Q32FVZPJF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvzejqtr-datasheets-8915.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVSFJQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvssig-datasheets-5384.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W19B320ATB7H | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 70 ГГц | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w19b320atb7h-datasheets-0557.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | Без свинца | 48 | 3A991.B.1.A | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,8 мм | 48 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,045 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 33554432 бит | 8 | 0,000005А | 70 нс | ДА | ДА | ДА | 863 | 8К64К | ДА | ВЕРШИНА | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X10VZPIG T&R | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20vzpig-datasheets-0615.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 8-ВСОН (6x5) | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40ВСНИГ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,72 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20vzpig-datasheets-0615.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | да | EAR99 | Нет | 1 | 20 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 75 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80EWSNIG | Винбонд Электроникс | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80ewzpig-datasheets-5254.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,85 мм | 3,9 мм | 8 | 10 недель | SPI, серийный | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | 1,8 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX1 | 1 | 800 мкс | 8388608 бит | 0,0000075А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JVSNIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jvssiq-datasheets-9536.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,85 мм | 3,9 мм | 8 | 10 недель | ТАКЖЕ ОН РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,7 В ДО 3 В С ЧАСТОТОЙ 104 МГЦ. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 3 мс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVPIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpiqtr-datasheets-0767.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 10 недель | да | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКЖЕ 104 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,7 ДО 3,0 В. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W971GG6SB-25 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w971gg6sb25-datasheets-3241.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 10 недель | 84 | 8 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG6KB-12 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg6kb12tr-datasheets-9274.pdf | 96-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80EWZPIG | Винбонд Электроникс | 0,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80ewzpig-datasheets-5254.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 1,8 В | 8 | 10 недель | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 1 | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 6 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 800 мкс | 0,0000075А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG6KB15I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg6kb12tr-datasheets-9274.pdf | 96-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80EWZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80ewzpig-datasheets-5254.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 1,65 В~1,95 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JWZPIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16jwzpiqtr-datasheets-9550.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W978H6KBVX2I | Винбонд Электроникс | 2,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w978h6kbvx2e-datasheets-3174.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 10 недель | 134 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X10CLSNIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x10clsnig-datasheets-5945.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 10 недель | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 14 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 2,5/3,3 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 1MX1 | 1 | 800 мкс | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9816G6JH-5 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9816g6jh6-datasheets-5653.pdf | 50-TSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | 3В~3,6В | 50-ЦОП II | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 4,5 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FWXGIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fwxgigtr-datasheets-2607.pdf | 8-XDFN Открытая площадка | 14 недель | 1,65 В~1,95 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W988D6FBGX7E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPSDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w988d2fbjx6i-datasheets-0101.pdf | 54-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 54-ВФБГА (8x9) | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W988D6FBGX6I | Винбонд Электроникс | $20,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPSDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w988d2fbjx6i-datasheets-0101.pdf | 54-ТФБГА | 9 мм | 8 мм | 54 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 54 | 1,95 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,075 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 15нс | 268435456 бит | 16 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU8MB12I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu8mb15i-datasheets-6507.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8NB-11 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8nb11-datasheets-8483.pdf | 78-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6NB-09 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6nb12-datasheets-8478.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 1,067 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6MB-15 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6mb12-datasheets-6302.pdf | 96-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W987D2HBJX6E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPSDR | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w987d6hbgx7etr-datasheets-9551.pdf | 90-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6MB-15 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6mb12-datasheets-6302.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W947D2HBJX6E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w947d6hbhx5i-datasheets-6385.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 10 недель | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 50 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 90 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 15нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL512PL9B ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 64-ЛБГА | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 64М х 8 32М х 16 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL512PH9B | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 64-ЛБГА | 64 | Параллельно | 2,7 В~3,6 В | 64-ЛФБГА (11x13) | 512Мб 64М х 8 32М х 16 | Энергонезависимый | 90 нс | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9812G6JB-6I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9812g6jb6tr-datasheets-6981.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 10 недель | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 1 | 75 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 |
