Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W9812G2KB-6 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9812g2kb6-datasheets-1679.pdf | 90-ТФБГА | 10 недель | 3В~3,6В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9816G6JH-6I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9816g6jh6-datasheets-5653.pdf | 50-TSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 50 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г50 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9464G6KH-5I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9464g6kh5-datasheets-5803.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | 2,3 В~2,7 В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 55нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9412G6KH-5 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9412g6kh5-datasheets-7030.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | 2,3 В~2,7 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 50 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVBIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpiqtr-datasheets-0767.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 10 недель | 24 | SPI, серийный | да | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКЖЕ 104 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,7 ДО 3,0 В. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25R128JVPIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25r128jvsiq-datasheets-9281.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8NB-09 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8nb11-datasheets-8483.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 1,067 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29N02GVSIAF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 48-TFSOP (0,488, ширина 12,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 10 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Г48 | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | ВСПЫШКА | Параллельно | 256MX8 | 8 | 25нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG8NB11I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg8nb12-datasheets-8538.pdf | 78-ВФБГА | 10 недель | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X32VZEIG Т&Р | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x16vsfigtr-datasheets-1665.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X10AVСНИГ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,72 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/winbondelectronics-w25x80avzpig-datasheets-1100.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 Мб | EAR99 | неизвестный | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 100 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CVSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16cvssig-datasheets-5341.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | SPI, серийный | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,7–3,6 В НА ЧАСТОТЕ 80 МГц. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 16 | 3,6 В | 3В | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 16777216 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DWSSIG | Винбонд Электроникс | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dwssig-datasheets-5478.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | 1,95 В | 1,65 В | 1,8 В | 0,04 мА | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX1 | 1 | 40 мкс, 3 мс | 16777216 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG6KB-12 | Винбонд Электроникс | $3,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg6kb12tr-datasheets-9274.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 14 недель | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | 280 мА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 96 | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 0,014А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BLZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80blzpigtr-datasheets-6358.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,3 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVFIF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-G16 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL256PH9T | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl256ph9t-datasheets-3540.pdf | 56-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 14 мм | 56 | 14 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г56 | 256Мб 32М х 8 16М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 16MX16 | 16 | 90 нс | 268435456 бит | 8 | 90 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W978H2KBQX2I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w978h6kbvx2e-datasheets-3174.pdf | 168-ВФБГА | 12 мм | 12 мм | 168 | 168 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,5 мм | 1,3 В | 1,14 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 15нс | 268435456 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6KB15I | Винбонд Электроникс | $34,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6kb12i-datasheets-3632.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 96 | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 2147483648 бит | 0,019А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8KB-15 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8kb15-datasheets-3704.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 78 | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,33 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | 0,019А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVFIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG8JB-18 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg8jb25itr-datasheets-3765.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU8KB12I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu8kb12-datasheets-3708.pdf | 78-ТФБГА | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG6JB-18 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6jb3i-datasheets-5367.pdf | 84-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DVSSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | 104 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | SPI, серийный | 2,7 В~3,6 В | 8-СОИК | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W971GG8KB-25 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w971gg8kb25tr-datasheets-3935.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BLUXIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80blzpigtr-datasheets-6358.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 2,3 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6KB-15 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6kb12i-datasheets-3632.pdf | 96-ТФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BVZPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bvsnig-datasheets-5321.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 8,5 нс | 2,7 В | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 3 мс | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64CVSSIG | Винбонд Электроникс | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64cvzeig-datasheets-5635.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 80 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8 | 50 мкс, 3 мс | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б |
