Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W989D6DBGX6I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPSDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w989d2dbjx6itr-datasheets-7202.pdf | 54-ТФБГА | 9 мм | 8 мм | 54 | 10 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG8NB-11 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg8nb12-datasheets-8538.pdf | 78-ВФБГА | 10 недель | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6KBHX5E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d6kbhx5etr-datasheets-9019.pdf | 60-ТФБГА | 9 мм | 8 мм | 60 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б60 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9816G6JB-6I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9816g6jb6itr-datasheets-9673.pdf | 60-ТФБГА | 10 недель | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W987D6HBGX7E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPSDR | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w987d6hbgx7etr-datasheets-9551.pdf | 54-ТФБГА | 9 мм | 1,8 В | 54 | 54 | 128 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 70 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6MB15I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6mb12-datasheets-6302.pdf | 96-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W947D2HBJX5E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w947d6hbhx5i-datasheets-6385.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 10 недель | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 55 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 90 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 200 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 15нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9812G2KB-6 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9812g2kb6-datasheets-1679.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | Р-ПБГА-Б90 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6NB09I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6nb11-datasheets-8498.pdf | 96-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 1,067 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W979H6KBVX2E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w979h2kbvx2i-datasheets-7338.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 10 недель | 134 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG6KB-18 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6kb25-datasheets-6448.pdf | 84-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,9 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FWZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fwstigtr-datasheets-2592.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 14 недель | 1,65 В~1,95 В | 8-ВСОН (6x5) | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9864G6KH-6I | Винбонд Электроникс | 0,89 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9864g6kh6tr-datasheets-8383.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG6KB25I | Винбонд Электроникс | $13,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6kb25-datasheets-6448.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 10 недель | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9725G8KB-18 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9725g8kb25i-datasheets-9259.pdf | 60-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 60 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,9 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б60 | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 15нс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9725G8KB25I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,9 В | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9812G6JB-6I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9812g6jb6tr-datasheets-6981.pdf | 54-ТФБГА | 10 недель | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25M02GVTBIT ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25m02gvzeittr-datasheets-8530.pdf | 24-ТБГА | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 700 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG8KS-25 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg8ks25-datasheets-5765.pdf | 60-ТФБГА | 9,5 мм | 8 мм | 60 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б60 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X32VSFIG Т&Р | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x16vsfigtr-datasheets-1665.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16-СОИК | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X16AVSSIG | Винбонд Электроникс | 1,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x16avdaiz-datasheets-6825.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 20 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 75 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9816G6IH-6I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9816g6ih6i-datasheets-5405.pdf | 50-TSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | Параллельно | 3В~3,6В | 50-ЦОП II | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVZPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvssig-datasheets-5384.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 800 мкм | 3В | 8 | 8 | СПИ | 64 Мб | Нет | 1 | 40 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | 85°С | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7 нс | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8 | 50 мкс, 3 мс | СЕРИАЛ | 1 | 0,00005А | 8б | СПИ | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64DWSфиг | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64dwzeig-datasheets-5492.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | EAR99 | ВЕРХНИЙ/НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 16 | 1,95 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,04 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 256КХ32 | 32 | 3 мс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32DWSSIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32dwsfig-datasheets-5426.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 1,7 В~1,95 В | 8-СОИК | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVDAIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 5,33 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvsfig-datasheets-5409.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,27 мм | 7,62 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | НЕТ | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 2,54 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 32MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 33554432 бит | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FWSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | 104 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fwzpigtr-datasheets-9969.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 14 недель | SPI, серийный | 1,65 В~1,95 В | 16-СОИК | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W97BH6KBVX2I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w97bh2kbvx2e-datasheets-3586.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 20 недель | 134 | да | 1 | EAR99 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W97BH2KBVX2I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w97bh2kbvx2e-datasheets-3586.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 20 недель | 134 | да | 1 | EAR99 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVAIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс |
