Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Напряжение - номинальное | Частота | Пакет/ключи | Прирост | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ART2K0FEU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 200 В | 400 МГц | СОТ-539А | 28,9 дБ | СОТ539А | - | 2000 Вт | 2,8 мкА | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 65 В | Амплеон США Инк. | |||
| 2SJ456-ТЛ-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| CPH3325-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| BLC10G22XS-301АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛК | 65 В | 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц | СОТ-1275-1 | 15 дБ | ДФМ6 | - | 350 Вт | 1,4 мкА | ЛДМОС | Амплеон США Инк. | |||||
| MCH3335-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| MCH3444-TL-H | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2SK3113-З-Е1-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Ренесас Электроникс Америка Инк. | ||||||||||||||
| MCH5804-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2СК3485-ТД-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2SJ485-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| BLC10G19XS-551AVZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 1,93 ГГц ~ 2 ГГц | СОТ-1258-5 | 15 дБ | СОТ1258-5 | - | 550 Вт | 2,8 мкА | 370 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 30 В | Амплеон США Инк. | |||
| BLF978PU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 108 В | 700 МГц | СОТ-539А | 24,5 дБ | СОТ539А | - | 1200 Вт | 2,8 мкА | 50 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| MCH3414-EBM-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2SJ348-AEC-UA10 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| MCH3319-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 30C01M-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 3LP04MH-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2SJ637-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2SK3092-ТЛ-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| MCH3456-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| НДД05Н50З-1Г9 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| ECH8601R-TL-EX | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| SCH1410-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| СТМФС4855НСТ1Г | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2СК3293-ТД-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| ECH8617-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2SJ636-ТЛ-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| ОН5173118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Нексперия США Инк. | ||||||||||||||
| 3LP02C-TB-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| CLF1G0060S-10 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 6 ГГц | СОТ-1227Б | 16 дБ | SOT1227B | - | 10 Вт | - | 50 мА | GaN HEMT | 50 В | NXP США Инк. |
