Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Напряжение - номинальное | Частота | Пакет/ключи | Прирост | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2СК1215ИГЭТЛ-Э | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 20 В | - | СК-70, СОТ-323 | 24 дБ | 3-СМПАК | 3 дБ @ 1 МГц | - | - | - | Ренесас Электроникс Америка Инк. | |||||
| БЛП15Х9С30ГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 50 В | 1 МГц ~ 1,5 ГГц | СОТ-1483-1 | 17 дБ | СОТ1483-1 | - | 30 Вт | - | ЛДМОС | Амплеон США Инк. | |||||
| БЛП9ЛА25СЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 13,6 В | 1 МГц ~ 941 МГц | СОТ-1482-1 | 18,4 дБ | СОТ-1482-1 | - | 25 Вт | - | ЛДМОС | Амплеон США Инк. | |||||
| БЛП15Х9С100ГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 50 В | 1 МГц ~ 1,5 ГГц | СОТ-1483-1 | 17 дБ | СОТ1483-1 | - | 100 Вт | - | ЛДМОС | Амплеон США Инк. | |||||
| ECH8301-TL-E-SY | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | ||||||||||||||
| МВТ-ПХ11Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 12 ГГц | Править | 9 дБ | Чип | - | - | 950 мА | 950 мА | МЕСФЕТ | 3 В | Микроволновые технологии, ООО | ||||
| МВТ-1Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6 В | 100 МГц ~ 12 ГГц | Править | 7 дБ | Чип | 2 дБ @ 12 ГГц | - | 230 мА | 230 мА | МЕСФЕТ | 4 В | Микроволновые технологии, ООО | |||
| МВТ-7Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6 В | 500 МГц ~ 26 ГГц | Править | 8 дБ | Чип | 2 дБ @ 12 ГГц | 21 дБм | 85 мА | 85 мА | МЕСФЕТ | 4 В | Микроволновые технологии, ООО | |||
| МВТ-ПХ7Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 28 ГГц | Править | 16 дБ | Чип | - | 24 дБм | 110 мА | 110 мА | МЕСФЕТ | 3 В | Микроволновые технологии, ООО | ||||
| БЛМ10Д3438-70АБГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛМ | 65 В | 3,4 ГГц ~ 3,8 ГГц | ОМП-400-8Г-1 | 31,8 дБ | ОМП-400-8Г-1 | - | - | 1,4 мкА | 110 мА | ЛДМОС (двойной) | 28 В | Амплеон США Инк. | |||
| МВТ-ПХ15Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6 В | 28 ГГц | Править | 12 дБ | Чип | - | 28,5 дБм | 170 мА | 170 мА | МЕСФЕТ | 4 В | Микроволновые технологии, ООО | |||
| БЛМ10Д1822-61АБГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛМ | 65 В | 1,8 ГГц ~ 2,2 ГГц | ОМП-400-8Г-1 | 28,5 дБ | ОМП-400-8Г-1 | - | 48,3 дБм | 1,4 мкА | 108 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28 В | Амплеон США Инк. | |||
| МВТ-9Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6 В | 500 МГц ~ 18 ГГц | Править | 8,5 дБ | Чип | - | 26,5 дБм | 270 мА | 270 мА | МЕСФЕТ | 4 В | Микроволновые технологии, ООО | |||
| БЛМ9Д2527-09АМЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Амплеон США Инк. | ||||||
| БЛП15Х9С100З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 106 В | 1,5 ГГц | СОТ-1482-1 | 19 дБ | СОТ-1482-1 | - | 100 Вт | 1,4 мкА | 30 мА | ЛДМОС | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| БЛП15М9С70З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 1,5 ГГц | СОТ-1482-1 | 17,8 дБ | СОТ-1482-1 | - | 70 Вт | 2,8 мкА | 300 мА | ЛДМОС | 32 В | Амплеон США Инк. | |||
| ART1K6FHU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКУССТВО | 177 В | 1 МГц ~ 425 МГц | СОТ-539А | 28 дБ | СОТ539А | - | 1600 Вт | 1,2 мкА | 50 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 55 В | Амплеон США Инк. | |||
| БЛП15Х9С10З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 104 В | 1,4 ГГц | СОТ-1482-1 | 22 дБ | СОТ-1482-1 | - | 10 Вт | 1,4 мкА | 60 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| БЛП15Х9С30З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 106 В | 1,5 ГГц | СОТ-1482-1 | 22 дБ | СОТ-1482-1 | - | 30 Вт | 1,4 мкА | 10 мА | ЛДМОС | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| BLC8G27LS-140AV518-AMP | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛК | 65 В | 2,496–2,69 ГГц | СОТ-1275-1 | 14,5 дБ | СОТ-1275-1 | - | 140 Вт | 1,4 мкА | 320 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28 В | Амплеон США Инк. | |||
| BLF8G22LS-270112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛФ | 65 В | 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц | СОТ-502Б | 17,7 дБ | СОТ502Б | - | 270 Вт | 4,2 мкА | 2,4 А | ЛДМОС | 28 В | Амплеон США Инк. | |||
| БЛП15М9С100ГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 65 В | 1,4 ГГц | СОТ-1483-1 | 18 дБ | СОТ1483-1 | - | 100 Вт | 1,4 мкА | 900 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32 В | Амплеон США Инк. | |||
| BLF177R | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛФ | 125 В | 108 МГц | СОТ-121Б | 19 дБ | СОТ121Б | - | 150 Вт | 2,5 мА | 700 мА | N-канал | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| БЛФ7Г24ЛС-160П,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц | СОТ539Б | 18,5 дБ | СОТ539Б | - | 30 Вт | - | 1,2 А | LDMOS (двойной), общий источник | 28 В | NXP США Инк. | |||
| МРФ1513Т1 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 40 В | 520 МГц | ПЛД-1,5 | 11 дБ | ПЛД-1,5 | - | 3 Вт | 1 мкА | 50 мА | N-канал | 12,5 В | Свободный полупроводник | |||
| МРФ18030BLSR3 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 1,8 ГГц ~ 2 ГГц | НИ-400С | 14 дБ | НИ-400С | - | 30 Вт | 1 мкА | 250 мА | N-канал | 26 В | Свободный полупроводник | |||
| БЛП15М9С100З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 65 В | 1,5 ГГц | СОТ-1482-1 | 15,7 дБ | СОТ-1482-1 | - | 100 Вт | 1,4 мкА | 400 мА | ЛДМОС | 32 В | Амплеон США Инк. | |||
| BLC10G19LS-250WTZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛК | 65 В | 1,93 ГГц ~ 1,99 ГГц | СОТ-1271-2 | 19,3 дБ | СОТ1271-2 | - | 250 Вт | 1,4 мкА | 1,4 А | ЛДМОС | 28 В | Амплеон США Инк. | |||
| ИРФУ1920 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||
| AFT26HW050GSR3-NXP | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. |
