Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактRF Mosfets Transistors (4200)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | В припании | Napraheneee - оинка | ЧastoTA | PakeT / KORPUES | Прирост | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ш | Питани - В.О. | Tykuщiй rerйting (amp) | ТОК - ТЕСТР | Это | В конце | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2sk1215igeTl-e | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 20 | - | SC-70, SOT-323 | 24 дБ | 3-CMPAK | 3db @ 1MHz | - | - | - | Renesas Electronics America Inc | |||||
| BLP15H9S30GZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLP | 50 | 1 мг ~ 1,5 ггц | SOT-1483-1 | 17 ДБ | SOT1483-1 | - | 30 st | - | LDMOS | Ampleon USA Inc. | |||||
| BLP9LA25SZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLP | 13,6 В. | 1 мг ~ 941 мгест | SOT-1482-1 | 18.4db | SOT-1482-1 | - | 25 Вт | - | LDMOS | Ampleon USA Inc. | |||||
| BLP15H9S100GZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLP | 50 | 1 мг ~ 1,5 ггц | SOT-1483-1 | 17 ДБ | SOT1483-1 | - | 100 y | - | LDMOS | Ampleon USA Inc. | |||||
| ECH8301-TL-E-SY | САНО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | САНО | ||||||||||||||
| MWT-PH11F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 12 Гер | Умират | 9db | Чip | - | - | 950 май | 950 май | МЕСТО | 3 В | Microwave Technology Inc. | ||||
| MWT-1f | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6в | 100 мг ~ 12 герб | Умират | 7 дБ | Чip | 2db @ 12 ggц | - | 230 май | 230 май | МЕСТО | 4 | Microwave Technology Inc. | |||
| MWT-7f | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6в | 500 мг ~ 26 ггц | Умират | 8 дБ | Чip | 2db @ 12 ggц | 21 Дбм | 85 май | 85 май | МЕСТО | 4 | Microwave Technology Inc. | |||
| MWT-PH7F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 28 гг | Умират | 16 дБ | Чip | - | 24 Дбм | 110 май | 110 май | МЕСТО | 3 В | Microwave Technology Inc. | ||||
| BLM10D3438-70ABGZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLM | 65 | 3,4 -ggц ~ 3,8gц | OMP-400-8G-1 | 31.8db | OMP-400-8G-1 | - | - | 1,4 мка | 110 май | LDMOS (DVOйNOй) | 28 | Ampleon USA Inc. | |||
| MWT-PH15F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6в | 28 гг | Умират | 12 дБ | Чip | - | 28,5dbm | 170 май | 170 май | МЕСТО | 4 | Microwave Technology Inc. | |||
| BLM10D1822-61ABGZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLM | 65 | 1,8 ГГА ~ 2,2 Гер | OMP-400-8G-1 | 28,5db | OMP-400-8G-1 | - | 48.3dbm | 1,4 мка | 108 май | Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik | 28 | Ampleon USA Inc. | |||
| MWT-9f | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6в | 500 мг ~ 18 герб | Умират | 8,5 Дб | Чip | - | 26.5dbm | 270 май | 270 май | МЕСТО | 4 | Microwave Technology Inc. | |||
| BLM9D2527-09AMZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Ampleon USA Inc. | ||||||
| BLP15H9S100Z | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 106 | 1,5 -е | SOT-1482-1 | 19db | SOT-1482-1 | - | 100 y | 1,4 мка | 30 май | LDMOS | 50 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLP15M9S70Z | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 1,5 -е | SOT-1482-1 | 17,8db | SOT-1482-1 | - | 70 Вт | 2,8 мка | 300 май | LDMOS | 32 | Ampleon USA Inc. | |||
| Art1k6fhu | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКОССТВО | 177 | 1 мг ~ 425 мгц | SOT-539A | 28 ДБ | SOT539A | - | 1600 г. | 1,2 мка | 50 май | Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik | 55 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLP15H9S10Z | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLP | 104 | 1,4 -е | SOT-1482-1 | 22 дБ | SOT-1482-1 | - | 10 st | 1,4 мка | 60 май | Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik | 50 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLP15H9S30Z | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 106 | 1,5 -е | SOT-1482-1 | 22 дБ | SOT-1482-1 | - | 30 st | 1,4 мка | 10 май | LDMOS | 50 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLC8G27LS-140AV518-AMP | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLC | 65 | 2496 гг ~ 2,69 гг. | SOT-1275-1 | 14.5db | SOT-1275-1 | - | 140 Вт | 1,4 мка | 320 май | Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik | 28 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLF8G22LS-270112 | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLF | 65 | 2,11 ~ 2,17 гг. | SOT-502B | 17,7db | SOT502B | - | 270 Вт | 4,2 мка | 2,4 а | LDMOS | 28 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLP15M9S100GZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLP | 65 | 1,4 -е | SOT-1483-1 | 18 дБ | SOT1483-1 | - | 100 y | 1,4 мка | 900 млн | Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik | 32 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLF177R | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLF | 125 | 108 мг | SOT-121b | 19db | SOT121B | - | 150 Вт | 2,5 мая | 700 млн | N-канал | 50 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLF7G24LS-160P, 112 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 2,3 Гер | SOT539B | 18,5db | SOT539B | - | 30 st | - | 1,2 а | Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik | 28 | NXP USA Inc. | |||
| MRF1513T1 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 40 | 520 мг | PLD-1.5 | 11 дБ | PLD-1.5 | - | 3W | 1 Млокс | 50 май | N-канал | 12,5 В. | Freescale Semiconductor | |||
| MRF18030BLSR3 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 1,8 ~ 2 ggц | Ni-400 | 14 дБ | Ni-400 | - | 30 st | 1 Млокс | 250 май | N-канал | 26 | Freescale Semiconductor | |||
| BLP15M9S100Z | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLP | 65 | 1,5 -е | SOT-1482-1 | 15,7db | SOT-1482-1 | - | 100 y | 1,4 мка | 400 май | LDMOS | 32 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLC10G19LS-250WTZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLC | 65 | 1,93 ~ 1,99 -е | SOT-1271-2 | 19.3db | SOT1271-2 | - | 250 Вт | 1,4 мка | 1,4 а | LDMOS | 28 | Ampleon USA Inc. | |||
| IRFU1920 | ХArrISCORPORAHIN | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | ХArrISCORPORAHIN | ||||||||||||||
| AFT26HW050GSR3-NXP | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP USA Inc. |
