Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактRF Mosfets Transistors (4200)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | В припании | Napraheneee - оинка | ЧastoTA | PakeT / KORPUES | Прирост | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ш | Питани - В.О. | Tykuщiй rerйting (amp) | ТОК - ТЕСТР | Это | В конце | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLC10G22XS-603AVTY | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 2,11 ~ 2,17 гг. | SOT-1258-4 | 15.4db | SOT1258-4 | - | 600 Вт | 2,8 мка | 1,2 а | Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik | 30 | Ampleon USA Inc. | |||
| MRFIC1501R2 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Freescale Semiconductor | ||||||||||||||
| AFV10700HR5178 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Nxp poluprovoDonnyki | ||||||||||||||
| CLF1G0035S-100 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Nxp poluprovoDonnyki | ||||||||||||||
| BLF1046 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||
| A3I20X050NR1 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | A3I20X050N | 65 | 1,8 ГГА ~ 2,2 Гер | OM-400-8 | 29,3 Дб | OM-400-8 | - | 6,3 | 10 мк | 145 млн | LDMOS (DVOйNOй) | 28 | NXP USA Inc. | |||
| A2V09H400-04SR3 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 105 | 720 мг ~ 960 мг | Ni-780S-4L | 18,7db | Ni-780S-4L | - | 102 Вт | 10 мк | 750 май | LDMOS (DVOйNOй) | 48 | NXP USA Inc. | |||
| A3I25D080GNR1 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 2,3 -ggц ~ 2,69 ggц | Вернат 270-17 | 29,2db | ДО-270WBG-17 | - | 8,3 | 10 мк | 175 млн | LDMOS (DVOйNOй) | 28 | NXP USA Inc. | |||
| A5G26S004NT6 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP USA Inc. | ||||||||||||||
| A5G35S008NT6 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP USA Inc. | ||||||||||||||
| A3G26H200W17SR3 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 125 | 2496 гг ~ 2,69 гг. | Ni-780S-4S2S | 14.2db | Ni-780S-4S2S | - | 34 Вт | - | 120 май | - | 48 | NXP USA Inc. | ||||
| MWT-PH8F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 26 Гер | Умират | 12 дБ | Чip | - | 30 Дбм | 300 май | 1 май | Феврат | 3 В | Microwave Technology Inc. | |||||
| MWT-PH31F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 18 Гер | Умират | 13 дБ | Чip | - | 30 Дбм | 280 май | 1 май | Феврат | 2 V. | Microwave Technology Inc. | ||||
| MWT-PH33F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 26 Гер | Умират | 14 дБ | Чip | - | 24 Дбм | 90 май | 1 май | Феврат | 3 В | Microwave Technology Inc. | |||||
| MWT-5F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 500 мг ~ 26 ггц | Умират | 19db | Чip | 3,5 дб @ 12 -й гер | - | 80 май | 30 май | Феот | 6в | Microwave Technology Inc. | |||||
| MWT-PH27F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 26 Гер | Умират | 14 дБ | Чip | - | 25 Дбм | 120 май | 1 май | Феврат | 3 В | Microwave Technology Inc. | ||||
| MWT-PH32F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 12 Гер | Умират | 13 дБ | Чip | - | 30,5db | 360 май | 1 май | Феврат | 2 V. | Microwave Technology Inc. | |||||
| CLF3H0060-30U | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 | 0 ГГ ~ 6 ГОГ | SOT-1227A | 17 ДБ | CDFM2 | - | 30 st | - | 60 май | Хemt | 50 | Ampleon USA Inc. | |||
| CLF3H0035S-100U | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 150 | 0 ГГ ~ 3,5 Гер | SOT-467B | 15 дБ | SOT-467B | - | 100 y | - | 300 май | Хemt | 50 | Ampleon USA Inc. | ||||
| C4H22W500AZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 | 2,11 ~ 2,17 гг. | SOT-1273-1 | 16 дБ | SOT1273-1 | - | 500 Вт | - | 450 май | 2 n-kanalnый (dvoйnoй) obщiй ystotoчnik | 50 | Ampleon USA Inc. | |||
| CLF1G0060-30 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||
| CLF1G0060S-10 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Nxp poluprovoDonnyki | ||||||||||||||
| CLF1G0060S-10 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||
| AFV10700HSR5178 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Nxp poluprovoDonnyki | ||||||||||||||
| BLA1011-300 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Rochester Electronics, LLC | ||||||||||||||
| CLF1G0035-100P | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Nxp poluprovoDonnyki | ||||||||||||||
| B10G3438N55DZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 3,4 -ggц ~ 3,8gц | 34,2db | - | 47,5dbm | 75 май | LDMOS | 28 | Ampleon USA Inc. | ||||||
| A3T09S100NR1 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 136 Mmgц ~ 941 M - | Дол. 270-2 | 22,8db | Дол. 270-2 | - | 100 y | 10 мк | 450 май | LDMOS | 28 | NXP USA Inc. | |||
| A3I25D080NR1 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 2,3 -ggц ~ 2,69 ggц | Вариана 270-17, Плоскин | 29,2db | ДО-270WB-17 | - | 8,3 | 10 мк | 175 млн | LDMOS (DVOйNOй) | 28 | NXP USA Inc. | |||
| A3G18D510-04SR3 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 | 1 805 ~ 2,2 -е. | Ni-780S-4L | 16 дБ | Ni-780S-4L | - | 56 Вт | - | 250 май | - | 48 | NXP USA Inc. |
