Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Напряжение - номинальное | Частота | Пакет/ключи | Прирост | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МРФ6ВП121ХР5-ФР | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 110 В | 1215 ГГц | НИ-1230 | 21,4 дБ | НИ-1230 | - | 1000 Вт | 10 мкА | 150 мА | ЛДМОС (двойной) | 50 В | Свободный полупроводник | |||
| 94-2402 | Международный выпрямитель | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Международный выпрямитель | ||||||||||||||
| АФТ26П100-4ВСР3-НСП | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | ||||||||||||||
| 64-9142ПБФ | Международный выпрямитель | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Международный выпрямитель | ||||||||||||||
| IRFAE32 | Международный выпрямитель | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Международный выпрямитель | ||||||||||||||
| BLC10G15XS-301АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛК | 65 В | 1452–1492 ГГц | СОТ-1275-1 | 18 дБ | ДФМ6 | - | 305 Вт | 1,4 мкА | 300 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 30 В | Амплеон США Инк. | |||
| 2SK3391JX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 17 В | 100 МГц ~ 2,5 ГГц | ТО-243АА | - | УПАК | - | 1,6 Вт | 10 мкА | 150 мА | N-канал | 13,7 В | Ренесас Электроникс Америка Инк. | |||
| БЛП9ЛА25СГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 13,6 В | 1 МГц ~ 941 МГц | СОТ-1483-1 | 18,4 дБ | СОТ1483-1 | - | 25 Вт | - | ЛДМОС | Амплеон США Инк. | |||||
| FDMC6676BZ | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Фэйрчайлд Полупроводник | ||||||||||||||
| MWE6IC9100NBR1-FR | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 66 В | 869 МГц ~ 960 МГц | Вариант ТО-272-14, плоские выводы | 33,5 дБ | ТО-272 ВБ-14 | - | 100 Вт | 10 мкА | 120 мА | ЛДМОС | 26 В | Свободный полупроводник | |||
| MRF6VP3450HSR5-NXP | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 110 В | 470–860 МГц | НИ-1230-4С | 22,5 дБ | НИ-1230-4С | - | 450 Вт | 10 мкА | 1,4 А | ЛДМОС (двойной) | 50 В | NXP США Инк. | |||
| MRF6VP2600HR5-FR | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 110 В | 500 МГц | НИ-1230 | 25 дБ | НИ-1230 | - | 600 Вт | 50 мкА | 2,6 А | ЛДМОС (двойной) | 50 В | Свободный полупроводник | |||
| 2SK3072-ТБ-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| MCH3443-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| MCH5835-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| ADP3110A0001RZR | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| MPIC2112DW | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| CPH3313-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| MCH6305-H-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| CPH3424-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2СК3617-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| BLF984PU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 104 В | 470–860 МГц | СОТ-1121А | 21 дБ | CDFM4 | - | 350 Вт | 1,4 мкА | 650 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| CPH3303-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| MCH6406-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2СК3614-К-ТД-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| 2СК3491-ТЛ-Э | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||
| ART2K0FEU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 200 В | 400 МГц | СОТ-539А | 28,9 дБ | СОТ539А | - | 2000 Вт | 2,8 мкА | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 65 В | Амплеон США Инк. | |||
| BLC10G18XS-600АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛК | 65 В | 1,805–1,88 ГГц | СОТ-1258-4 | 15,4 дБ | СОТ1258-4 | - | 600 Вт | 2,8 мкА | 800 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 30 В | Амплеон США Инк. | |||
| БЛП15М9С70ГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 1,3 ГГц | СОТ-1483-1 | 23,5 дБ | СОТ1483-1 | - | 70 Вт | 1,4 мкА | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32 В | Амплеон США Инк. | |||
| MCH3415-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми |
