RF Mosfets Transistors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) В припании Napraheneee - оинка ЧastoTA PakeT / KORPUES Прирост ПАКЕТИВАЕТСЯ Ш Питани - В.О. Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Это В конце Млн
MRF6VP121KHR5-FR MRF6VP121KHR5-FR Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - 110 1215 ГОГ NI-1230 21.4db NI-1230 - 1000 вес 10 мк 150 май LDMOS (DVOйNOй) 50 Freescale Semiconductor
94-2402 94-2402 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * ДОДЕЛИНАРЕДНА
AFT26P100-4WSR3-NXP AFT26P100-4WSR3-NXP Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * NXP USA Inc.
64-9142PBF 64-9142PBF ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * ДОДЕЛИНАРЕДНА
IRFAE32 Irfae32 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * ДОДЕЛИНАРЕДНА
BLC10G15XS-301AVTZ BLC10G15XS-301AVTZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 BLC 65 1452 гг ~ 1 492 гг. SOT-1275-1 18 дБ DFM6 - 305 Вт 1,4 мка 300 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 30 Ampleon USA Inc.
2SK3391JX 2SK3391JX Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - 17 100 мг ~ 2,5 ггц 243а - Епак - 1,6 10 мк 150 май N-канал 13,7 В. Renesas Electronics America Inc
BLP9LA25SGZ BLP9LA25SGZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 BLP 13,6 В. 1 мг ~ 941 мгест SOT-1483-1 18.4db SOT1483-1 - 25 Вт - LDMOS Ampleon USA Inc.
FDMC6676BZ FDMC6676BZ Fairchild (napoluprovodonke)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * Fairchild Semiconductor
MWE6IC9100NBR1-FR MWE6IC9100NBR1-FR Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - 66 869 мг ~ 960 мг ВОРИАНТ 272-14, Плоски 33,5 Дб 272 WB-14 - 100 y 10 мк 120 май LDMOS 26 Freescale Semiconductor
MRF6VP3450HSR5-NXP MRF6VP3450HSR5-NXP Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - 110 470 мг ~ 860 мг NI-1230-4S 22,5db NI-1230-4S - 450 Вт 10 мк 1,4 а LDMOS (DVOйNOй) 50 NXP USA Inc.
MRF6VP2600HR5-FR MRF6VP2600HR5-FR Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - 110 500 мг NI-1230 25 дБ NI-1230 - 600 Вт 50 мк 2,6 а LDMOS (DVOйNOй) 50 Freescale Semiconductor
2SK3072-TB-E 2SK3072-TB-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
MCH3443-TL-E MCH3443-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
MCH5835-TL-E MCH5835-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
ADP3110A0001RZR ADP3110A0001RZR OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
MPIC2112DW MPIC2112DW OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
CPH3313-TL-E CPH3313-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
CPH3424-TL-E CPH3424-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
MCH6305-H-TL-E MCH6305-H-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
2SK3617-E 2SK3617-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
BLF984PU BLF984PU Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - 104 470 мг ~ 860 мг SOT-1121A 21 дБ CDFM4 - 350 Вт 1,4 мка 650 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 50 Ampleon USA Inc.
CPH3303-TL-E CPH3303-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
MCH6406-TL-E MCH6406-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
2SK3614-Q-TD-E 2SK3614-Q-TD-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
2SK3491-TL-E 2SK3491-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
ART2K0FEU Art2k0feu Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - 200 400 мг SOT-539A 28,9db SOT539A - 2000 Вт 2,8 мка 100 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 65 Ampleon USA Inc.
BLC10G18XS-600AVTZ BLC10G18XS-600AVTZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 BLC 65 1 805 ~ 1,88 гг. SOT-1258-4 15.4db SOT1258-4 - 600 Вт 2,8 мка 800 млн Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 30 Ampleon USA Inc.
BLP15M9S70GZ BLP15M9S70GZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - 65 1,3 -е SOT-1483-1 23,5db SOT1483-1 - 70 Вт 1,4 мка 200 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 32 Ampleon USA Inc.
MCH3415-TL-E MCH3415-TL-E OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.