Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Напряжение - номинальное | Частота | Пакет/ключи | Прирост | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АРТ35ФЭУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКУССТВО | 200 В | 1 МГц ~ 650 МГц | СОТ-467С | 31 дБ | СОТ467C | - | 35 Вт | 1,2 мкА | 20 мА | ЛДМОС | 65 В | Амплеон США Инк. | |||
| RF5L08350CB4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 110 В | 1 ГГц | B4E | 19 дБ | B4E | - | 400 Вт | 1 мкА | 200 мА | ЛДМОС | 50 В | СТМикроэлектроника | |||
| А3Г26Д055Н-2515 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 100 МГц ~ 2,69 ГГц | 6-ЛДФН Открытая площадка | 13,9 дБ | 6-ПДФН (7х6,5) | - | 8 Вт | - | 40 мА | Ган | 48 В | NXP США Инк. | |||
| RF3L05250CB4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 90 В | 1 ГГц | ЛББ | 18 дБ | ЛББ | - | 250 Вт | 1 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 28 В | СТМикроэлектроника | |||
| А3Г26Д055Н-100 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 100 МГц ~ 2,69 ГГц | 6-ЛДФН Открытая площадка | 13,9 дБ | 6-ПДФН (7х6,5) | - | 8 Вт | - | 40 мА | Ган | 48 В | NXP США Инк. | |||
| А3Г26Д055Н-2400 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 100 МГц ~ 2,69 ГГц | 6-ЛДФН Открытая площадка | 13,9 дБ | 6-ПДФН (7х6,5) | - | 8 Вт | - | 40 мА | Ган | 48 В | NXP США Инк. | |||
| RF2L16180CB4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 1,6 ГГц | B4E | 14 дБ | B4E | - | 180 Вт | 1 мкА | 600 мА | ЛДМОС | 28 В | СТМикроэлектроника | |||
| ТАВ2-14ЛН+ | Мини-схемы | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5 В | 50 МГц ~ 10 ГГц | 6-ТДФН Открытая площадка | 23,4 дБ | - | 2,5 дБ при 50 МГц | 19,4 дБм | 2мкА | 4 мА | Э-pHEMT | 4 В | Мини-схемы | |||
| МРФ24Г300ХС-2УП | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 2,4 ГГц ~ 2,5 ГГц | НИ-780С-4Л | 15,3 дБ | НИ-780С-4Л | - | 336 Вт | - | Ган | 48 В | NXP США Инк. | ||||
| А3Г26Д055Н-2110 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 100 МГц ~ 2,69 ГГц | 6-ЛДФН Открытая площадка | 13,9 дБ | 6-ПДФН (7х6,5) | - | 8 Вт | - | 40 мА | Ган | 48 В | NXP США Инк. | |||
| ТАВ-541+ | Мини-схемы | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5 В | 450 МГц ~ 6 ГГц | 4-СМД, без свинца | 23,8 дБ | ФГ873 | 1,8 дБ при 5,8 ГГц | 21,1 дБ | - | 60 мА | Э-pHEMT | 3 В | Мини-схемы | |||
| САВ-331+ | Мини-схемы | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5 В | 10 МГц ~ 4 ГГц | СК-82А, СОТ-343 | 24,6 дБ | МММ1362 | 0,9 дБ при 4 ГГц | 21,1 дБм | - | 60 мА | D-pHEMT | 4 В | Мини-схемы | |||
| ТАВ-551+ | Мини-схемы | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5 В | 6 ГГц | 4-СМД, без свинца | 16,3 дБ | ФГ873 | 1,7 дБ при 5,8 ГГц | 20,1 дБ | - | 15 мА | Э-pHEMT | 3 В | Мини-схемы | |||
| БЛМ9Д0708-05АМЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 728 МГц ~ 821 МГц | 20-ВЛГА Открытая площадка | 17,8 дБ | 20-ЛГА (7х7) | - | 5 Вт | 1,4 мкА | 12 мА | ЛДМОС | 28 В | Амплеон США Инк. | |||
| САВ-581+ | Мини-схемы | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5 В | 45 МГц ~ 6 ГГц | СК-82А, СОТ-343 | 22,3 дБ | МММ1362 | 1,5 дБ при 5,8 ГГц | 20,5 дБм | - | 30 мА | Э-pHEMT | 3 В | Мини-схемы | |||
| САВ-551+ | Мини-схемы | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5 В | 45 МГц ~ 6 ГГц | СК-82А, СОТ-343 | 20,9 дБ | МММ1362 | 1,8 дБ при 5,8 ГГц | 20 дБм | - | 15 мА | Э-pHEMT | 3 В | Мини-схемы | |||
| ТМ-30 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | - | 30 Вт | - | GaN HEMT | Амплеон США Инк. | ||||||||||
| CLF1G0035-100H | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 3 ГГц | СОТ467C | 12 дБ | СОТ467C | - | 100 Вт | 330 мА | GaN HEMT | 50 В | Амплеон США Инк. | ||||
| АРТ150ФЭУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКУССТВО | 200 В | 1 МГц ~ 650 МГц | СОТ-467С | 31 дБ | СОТ467C | - | 150 Вт | 1,2 мкА | 20 мА | ЛДМОС | 65 В | Амплеон США Инк. | |||
| БЛП9Х10С-500АВТИ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 105 В | 600 МГц ~ 960 МГц | ОМП-780-6Ф-1 | 18,3 дБ | ОМП-780-6Ф-1 | - | 500 Вт | 1,4 мкА | 500 мА | ЛДМОС (двойной) | 300 мВ | Амплеон США Инк. | |||
| БЛМ10Д3740-35АБЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛМ | 65 В | 3,7 ГГц ~ 4 ГГц | 20-QFN Открытая колодка | 34,2 дБ | 20-PQFN (8x8) | - | - | 1,4 мкА | 42 мА | ЛДМОС | 28 В | Амплеон США Инк. | |||
| БЛМ9Д2324-08АМЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Амплеон США Инк. | ||||||||||||||
| БЛМ9Д1920-08АМЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Амплеон США Инк. | ||||||||||||||
| МВТ-3Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6 В | 500 МГц ~ 26 ГГц | Править | 11 дБ | Чип | - | 22 дБм | 110 мА | 110 мА | МЕСФЕТ | 4 В | Микроволновые технологии, ООО | |||
| МВТ-ПХ4Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 28 ГГц | Править | 16 дБ | Чип | - | 22 дБм | 84 мА | 84 мА | МЕСФЕТ | 3 В | Микроволновые технологии, ООО | ||||
| БЛП15Х9С10ГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 104 В | 1,4 ГГц | СОТ-1483-1 | 22 дБ | СОТ1483-1 | - | 10 Вт | 1,4 мкА | 60 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| MRFE6VP5150GNR1,528 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 133 В | 1,8 МГц ~ 600 МГц | ТО-270ББ | 26,1 дБ | ТО-270 ВБ-4 Чайка | - | 150 Вт | 5 мкА | 100 мА | ЛДМОС (двойной) | 50 В | NXP США Инк. | |||
| МРФ1К50HR5178 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 135 В | 1,8 МГц ~ 500 МГц | СОТ-979А | 23,7 дБ | НИ-1230-4Х | - | 1500 Вт | 20 мкА | 100 мА | ЛДМОС (двойной) | 50 В | Свободный полупроводник | |||
| МРФ18060BLSR3 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 1,93 ГГц ~ 1,99 ГГц | НИ-780С | 13 дБ | НИ-780С | - | 60 Вт | 6мкА | 500 мА | N-канал | 26 В | Свободный полупроводник | |||
| ВРФ152ГМП | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология |
