Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактRF Mosfets Transistors (4200)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | В припании | Napraheneee - оинка | ЧastoTA | PakeT / KORPUES | Прирост | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ш | Питани - В.О. | Tykuщiй rerйting (amp) | ТОК - ТЕСТР | Это | В конце | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ART35FEU | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКОССТВО | 200 | 1 мг ~ 650 мгест | SOT-467C | 31db | SOT467C | - | 35 Вт | 1,2 мка | 20 май | LDMOS | 65 | Ampleon USA Inc. | |||
| RF5L08350CB4 | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 110 | 1 гер | B4E | 19db | B4E | - | 400 Вт | 1 Млокс | 200 май | LDMOS | 50 | Stmicroelectronics | |||
| A3G26D055N-2515 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 | 100 мг ~ 2,69 гг. | 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka | 13,9db | 6-pdfn (7x6,5) | - | 8 Вт | - | 40 май | Gan | 48 | NXP USA Inc. | |||
| RF3L05250CB4 | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 90 | 1 гер | LBB | 18 дБ | LBB | - | 250 Вт | 1 Млокс | 100 май | LDMOS | 28 | Stmicroelectronics | |||
| A3G26D055N-100 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 | 100 мг ~ 2,69 гг. | 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka | 13,9db | 6-pdfn (7x6,5) | - | 8 Вт | - | 40 май | Gan | 48 | NXP USA Inc. | |||
| A3G26D055N-2400 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 | 100 мг ~ 2,69 гг. | 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka | 13,9db | 6-pdfn (7x6,5) | - | 8 Вт | - | 40 май | Gan | 48 | NXP USA Inc. | |||
| RF2L16180CB4 | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 1,6 -е | B4E | 14 дБ | B4E | - | 180 Вт | 1 Млокс | 600 май | LDMOS | 28 | Stmicroelectronics | |||
| TAV2-14LN+ | Мини-иирка | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5в | 50 мг ~ 10 -е. | 6-tdfn oftkrыtaiNav-o | 23.4db | - | 2,5db прри 50 мгр | 19.4dbm | 2 мкс | 4 май | E-Phemt | 4 | Мини-иирка | |||
| MRF24G300HS-2UP | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 | 2,4 -е ~ 2,5 -е. | Ni-780S-4L | 15.3db | Ni-780S-4L | - | 336 Вт | - | Gan | 48 | NXP USA Inc. | ||||
| A3G26D055N-2110 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 | 100 мг ~ 2,69 гг. | 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka | 13,9db | 6-pdfn (7x6,5) | - | 8 Вт | - | 40 май | Gan | 48 | NXP USA Inc. | |||
| TAV-541+ | Мини-иирка | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5в | 450 мг ~ 6 герб | 4-SMD, neTLIDERSTVA | 23,8db | FG873 | 1,8db @ 5,8gц | 21.1db | - | 60 май | E-Phemt | 3 В | Мини-иирка | |||
| SAV-331+ | Мини-иирка | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5в | 10 мг ~ 4 -е. | SC-82A, SOT-343 | 24,6db | MMM1362 | 0,9 дБ @ 4 -й гер | 21.1dbm | - | 60 май | D-Phemt | 4 | Мини-иирка | |||
| TAV-551+ | Мини-иирка | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5в | 6 Гер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | 16.3db | FG873 | 1,7 дб @ 5,8 герб | 20,1db | - | 15 май | E-Phemt | 3 В | Мини-иирка | |||
| BLM9D0708-05AMZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 728 Mmgц ~ 821 M - | 20-Vlga-stavalennannyamnannyamnanny-ploщadka | 17,8db | 20-LGA (7x7) | - | 5 Вт | 1,4 мка | 12 май | LDMOS | 28 | Ampleon USA Inc. | |||
| SAV-581+ | Мини-иирка | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5в | 45 мг ~ 6 герб | SC-82A, SOT-343 | 22.3db | MMM1362 | 1,5 дБ @ 5,8 герб | 20,5dbm | - | 30 май | E-Phemt | 3 В | Мини-иирка | |||
| SAV-551+ | Мини-иирка | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 5в | 45 мг ~ 6 герб | SC-82A, SOT-343 | 20,9db | MMM1362 | 1,8db @ 5,8gц | 20 Дбм | - | 15 май | E-Phemt | 3 В | Мини-иирка | |||
| TM-30 | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | - | 30 st | - | Ghanemet | Ampleon USA Inc. | ||||||||||
| CLF1G0035-100H | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 | 3 гер | SOT467C | 12 дБ | SOT467C | - | 100 y | 330 май | Ghanemet | 50 | Ampleon USA Inc. | ||||
| ART150FEU | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКОССТВО | 200 | 1 мг ~ 650 мгест | SOT-467C | 31db | SOT467C | - | 150 Вт | 1,2 мка | 20 май | LDMOS | 65 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLP9H10S-500Awty | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLP | 105 | 600 мг ~ 960 мг | OMP-780-6F-1 | 18.3db | OMP-780-6F-1 | - | 500 Вт | 1,4 мка | 500 май | LDMOS (DVOйNOй) | 300 м | Ampleon USA Inc. | |||
| BLM10D3740-35ABZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLM | 65 | 3,7 -ggц ~ 4 -ggц | 20-qfn otkrыtaiNaiN-o | 34,2db | 20-pqfn (8x8) | - | - | 1,4 мка | 42 май | LDMOS | 28 | Ampleon USA Inc. | |||
| BLM9D2324-08AMZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Ampleon USA Inc. | ||||||||||||||
| BLM9D1920-08AMZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Ampleon USA Inc. | ||||||||||||||
| MWT-3F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 6в | 500 мг ~ 26 ггц | Умират | 11 дБ | Чip | - | 22 Дбм | 110 май | 110 май | МЕСТО | 4 | Microwave Technology Inc. | |||
| MWT-PH4F | МИКРЕВОНАВО | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 28 гг | Умират | 16 дБ | Чip | - | 22 Дбм | 84ma | 84 май | МЕСТО | 3 В | Microwave Technology Inc. | ||||
| BLP15H9S10GZ | Ampleon USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | BLP | 104 | 1,4 -е | SOT-1483-1 | 22 дБ | SOT1483-1 | - | 10 st | 1,4 мка | 60 май | Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik | 50 | Ampleon USA Inc. | |||
| MRFE6VP5150GNR1,528 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 133 В | 1,8 мг ~ 600 лет | До-270 млрд лет | 26.1db | 270 WB-4 | - | 150 Вт | 5 Мка | 100 май | LDMOS (DVOйNOй) | 50 | NXP USA Inc. | |||
| MRF1K50HR5178 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 135 | 1,8 мг ~ 500 лет | SOT-979A | 23,7db | NI-1230-4H | - | 1500 Вт | 20 мк | 100 май | LDMOS (DVOйNOй) | 50 | Freescale Semiconductor | |||
| MRF18060blsr3 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 | 1,93 ~ 1,99 -е | Ni-780S | 13 дБ | Ni-780S | - | 60 | 6 мка | 500 май | N-канал | 26 | Freescale Semiconductor | |||
| VRF152GMP | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА |
