RF Mosfets Transistors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

RF Mosfets Transistors (4200)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Упако Napraheneee - оинка ЧastoTA Техниль PakeT / KORPUES Прирост Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Ш Питани - В.О. Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Это В конце Млн
MRFE6VS25NR1 MRFE6VS25NR1 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 133V 512 мг /files/b3615df964f58f8c85f15e4fff_a.pdf ДО-270АА 25,4db Траншисторы - ФЕТИ, МОСФЕТ - РФ Дол. 270-2 25 Вт 10 май LDMOS 50
MRFE6VS25GNR1 MRFE6VS25GNR1 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Digi-Reel? 133V 512 мг /files/b3615df964f58f8c85f15e4fff_a.pdf 270-2 кркла 25,4db Траншисторы - ФЕТИ, МОСФЕТ - РФ 270-2 А.С. 25 Вт 10 май LDMOS 50
ART700FHGJ ART700FHGJ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 177 1 мг ~ 450 мгр SOT-1214C 28,6db SOT1214C - 700 Вт 1,4 мка 1,2 а Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 55 Ampleon USA Inc.
1214GN-180LV 1214GN-180LV ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 150 1,2 Гер 55 кр 17 ДБ 55 кр - 180 Вт - 60 май Хemt 50 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
CLL3H0914LS-700U CLL3H0914LS-700U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Калкула 150 900 мг ~ 1,4 -е. SOT-502B 17 ДБ SOT502B - 700 Вт - 500 май N-канал 50 Ampleon USA Inc.
ART700FHSU ART700FHSU Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 177 1 мг ~ 450 мгр SOT-1214B 28,6db Лд - 700 Вт 1,4 мка 1,2 а Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 55 Ampleon USA Inc.
CLL3H0914L-700U CLL3H0914L-700U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Калкула 150 900 мг ~ 1,4 -е. SOT-502A 17 ДБ SOT502A - 700 Вт - 500 май N-канал 50 Ampleon USA Inc.
MWT-LN300 MWT-LN300 МИКРЕВОНАВО
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 4 26 Гер Умират 10 дБ Умират 0,6 дБ - - 25 май Феврат 2,5 В. Microwave Technology Inc.
TM-10 TM-10 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 * Rochester Electronics, LLC
CLF1G0035-100 CLF1G0035-100 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 150 3,5 -е SOT-467C 12 дБ SOT467C - 100 y - 330 май Хemt 50 Rochester Electronics, LLC
CLF1G0060S-30 CLF1G0060S-30 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 150 6 Гер SOT-1227B 13,5db SOT1227B - 30 st - 150 май Хemt 50 Rochester Electronics, LLC
CLF1G0060-10 CLF1G0060-10 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 150 6 Гер SOT-1227A 16 дБ CDFM2 - 10 st - 150 май Хemt 50 Rochester Electronics, LLC
C4H10P600AY C4H10P600AY Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 150 700 мг ~ 1 гер OMP-780-4F-1 18.2db OMP-780-4F-1 - 600 Вт - 470 май 2 n-kanalnый (dvoйnoй) obщiй ystotoчnik 50 Ampleon USA Inc.
BLP9H10S-850AVTY BLP9H10S-850AVTY Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 BLP 105 617 мг ~ 960 мг OMP-1230-6F-1 17,8db OMP-1230-6F-1 - 850 Вт 2,8 мка 1,4 а Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 50 Ampleon USA Inc.
BLC10G22XS-401AVTY BLC10G22XS-401AVTY Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 BLC 65 2,11 ggц ~ 2,2gц SOT-1275-1 15 дБ DFM6 - 400 Вт 1,4 мка 1,085 а Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 32 Ampleon USA Inc.
ART2K0FEGJ ART2K0FEGJ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ИСКОССТВО 200 1 мг ~ 400 мгест SOT-539AN 28,9db SOT539AN - 2000 Вт 1,4 мка 600 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 65 Ampleon USA Inc.
MRF300AN-27MHZ MRF300AN-27MHZ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 133 В 1,8 мг ~ 250 лет 3-sip 28.2db 3-sil - 300 Вт 10 мк 100 май LDMOS 50 NXP USA Inc.
BLM9D3438-16AMZ BLM9D3438-16AMZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 65 3,4 -ggц ~ 3,8gц 20-Vlga-stavalennannyamnannyamnanny-ploщadka 32,5 Дб 20-LGA (7x7) - 16 Вт 1,4 мка 38 май LDMOS 28 Ampleon USA Inc.
BLM9D3740-16AMZ BLM9D3740-16AMZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 65 3,7 -ggц ~ 4 -ggц 20-Vlga-stavalennannyamnannyamnanny-ploщadka 31.2db 20-LGA (7x7) - 16 Вт 1,4 мка 38 май LDMOS 28 Ampleon USA Inc.
ART2K0FESU ART2K0FESU Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ИСКОССТВО 200 1 мг ~ 400 мгест SOT-539AN 28,9db SOT539AN - 2000 Вт 1,4 мка 600 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 65 Ampleon USA Inc.
ART1K6FHGJ Art1k6fhgj Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ИСКОССТВО 177 1 мг ~ 425 мгц SOT-539AN 28 ДБ SOT539AN - 1600 г. 1,2 мка 600 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 65 Ampleon USA Inc.
A5G38H045N-3700 A5G38H045N-3700 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - - 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka - 6-pdfn (7x6,5) - 5 Вт - - NXP USA Inc.
A5G23H065NT4 A5G23H065NT4 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 125 2,3 Гер 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka 15,5db 6-pdfn (7x6,5) - 8,8 Вт - 30 май - 48 NXP USA Inc.
A5G35H120NT2 A5G35H120NT2 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 125 3,3 Гер 10-Powerldfn 14.1db 10-DFN (7x10) - 18w - 70 май - 48 NXP USA Inc.
A3G26D055N-2600 A3G26D055N-2600 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 125 100 мг ~ 2,69 гг. 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka 13,9db 6-pdfn (7x6,5) - 8 Вт - 40 май - 48 NXP USA Inc.
A5G38H045NT4 A5G38H045NT4 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 * NXP USA Inc.
A5G35S004N-3400 A5G35S004N-3400 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 125 3,3 Гер 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka 16.9db 6-pdfn (4x4,5) - 24.5dbm - 12 май - 48 NXP USA Inc.
BLF278C BLF278C Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 125 - SOT-262A1 18 дБ CDFM4 - 300 Вт 2,5 мая 200 май 2 n-kanalnый (dvoйnoй) obщiй ystotoчnik 50 Rochester Electronics, LLC
BLF245B BLF245B Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 65 175 мг SOT-279A 18 дБ CDFM4 - 30 st 1MA 50 май 2 n-kanalnый (dvoйnoй) obщiй ystotoчnik 28 Rochester Electronics, LLC
BLF404 BLF404 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - 40 500 мг SOT-409A 11,5db 8-CDIP - 4 Вт 500 мк 50 май N-канал 12,5 В. Rochester Electronics, LLC
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)