Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PC81100NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81102nsz-datasheets-0683.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05 А | 3 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 350 мВ | 1,2 В | 3 мкс 2 мкс | 50 мА | 30 мА | 30 мА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 2 мкс, 23 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| PC853X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xi-datasheets-6816.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 350В | Дарлингтон | 0,05 А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 4000% | 150 мА | 200нА | 1000% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PC847X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc847x-datasheets-6827.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 16 | Нет | 200мВт | 4 | 4 | 16-ДИП | 35В | Транзистор | 50 мА | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||
| PC827CD | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 200мВт | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| PC818Y | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc818i-datasheets-0696.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 1 | 35В | Транзистор | 7 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 7 мкс 6 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 35В | 10% при 1 мА | 100% при 1 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC853XI | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xi-datasheets-6816.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 350В | Дарлингтон | 0,05 А | 100 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 4000% | 150 мА | 200нА | 1000% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc364n1-datasheets-6632.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81712NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 2мА | 50 мА | 80В | 160% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC852X | Острая микроэлектроника | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xi-datasheets-6816.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL | 4 | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 350В | Дарлингтон | 0,05 А | 100 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 35В | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 40 мА | 4000% | 40 мА | 200нА | 1000% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| PC817X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817xi-datasheets-6777.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL | Да | 4 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 200мВт | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 35В | 35В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||
| PC844X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844x-datasheets-6832.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4 | 4 | 80В | Транзистор | 0,05 А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PC713V0NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc713v0nszx-datasheets-6833.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05 А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| PC827AB | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 0,05 А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 80% при 5 мА | 260% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PC715V0YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0nszx-datasheets-6747.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Содержит свинец | 6 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 0,05 А | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| PC81710NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 10 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 3мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||
| PC81105NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81102nsz-datasheets-0683.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05 А | 3 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 350 мВ | 1,2 В | 3 мкс 2 мкс | 50 мА | 30 мА | 30 мА | 60% при 5 мА | 200% при 5 мА | 2 мкс, 23 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| PC814X | Острая микроэлектроника | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814x1-datasheets-6789.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 50 мА | 4 мкс | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| PC815Y | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 1 | 4-ДИП | 35В | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815IY | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N250NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30В | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 100 мА | 100 мА | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC723V0NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc723v0nszx-datasheets-6806.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | 1 | 1 | 6-ДИП | 80В | Транзистор с базой | 6 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300 мВ | 1,2 В | 6 мкс 7 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC851XI | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc851xi-datasheets-6823.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-СМД | 350В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300 мВ | 1,2 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 350В | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817XI1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817xi-datasheets-6777.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| ПК367Н1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc367n-datasheets-6620.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 1,2 В | Транзистор | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 150% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817Х3 | Острая микроэлектроника | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817xi-datasheets-6777.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| ПК817Х4 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817xi-datasheets-6777.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК512 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc512-datasheets-6812.pdf | 4-DIP-модуль | Содержит свинец | 4 | ОДОБРЕНО VDE, ПРИЗНАНО UL | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 6В | 1 | 1 | 35В | Транзистор | 0,05 А | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 20 мА | 10% | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123Y2 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100% при 5 мА | 250% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК814XP1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814x1-datasheets-6789.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 1 | 4-СМД | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC725V0NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc725v0nszx-datasheets-6815.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 6 | 1 | 1 | 6-ДИП | 300В | Дарлингтон с базой | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | 1,2 В |
