Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество контактов | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Выходное напряжение | Прямой ток | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПК814XP1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814x1-datasheets-6789.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 1 | 4-СМД | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| PC725V0NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc725v0nszx-datasheets-6815.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 6 | 1 | 1 | 6-ДИП | 300В | Дарлингтон с базой | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||
| PC852XI | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xi-datasheets-6816.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 350В | Дарлингтон | 0,05А | 100 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 40 мА | 4000% | 150 мА | 200нА | 1000% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||
| PC703V0NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc703v0yszx-datasheets-6728.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 40% при 10 мА | 320% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||
| ПК817Х2 | Острая микроэлектроника | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817xi-datasheets-6777.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||
| PC81410NSZ | Острая микроэлектроника | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81410nsz-datasheets-6781.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||
| ПК817Х1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817xi-datasheets-6777.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||
| PC81411NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81410nsz-datasheets-6781.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||
| PC3H7A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h7-datasheets-6687.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 35% при 1 мА | 70% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| PC703V0NIZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc703v0nizx-datasheets-6784.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 40% | 50 мА | |||||||||||||||||||||||
| ПК825 | Острая микроэлектроника | $23,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 | 2 | 35В | Дарлингтон | 0,05А | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 600% | 80 мА | 1000нА | 600% при 1 мА | |||||||||||||||||||||
| PVI5080NS | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПВИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 4 (72 часа) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | 8-SMD (0,300, 7,62 мм), 4 вывода | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Фотоэлектрический | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ОДИНОКИЙ | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 8мкА | 5В | 300 мкс, 220 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81720NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81720nsz-datasheets-6787.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 70В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 500 мкА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81711NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 1,5 мА | 50 мА | 120% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||
| ПК814Х1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814x1-datasheets-6789.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||
| ПК733 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc733-datasheets-6790.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 6 | ПРИЗНАНИЕ UL, СОВМЕСТИМОСТЬ TTL | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Транзистор с базой | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 15% при 1 мА | 300% при 1 мА | |||||||||||||||||||||
| ПК827 | Острая микроэлектроника | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 5В | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ПК824 | Острая микроэлектроника | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc824-datasheets-6792.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 0,05А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||
| ПК815 | Острая микроэлектроника | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 50 мА | 0,05А | 60 мкс | 53 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 80 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||
| ПК849 | Острая микроэлектроника | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc849-datasheets-6795.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4 | 170 мВт | 4 | 35В | 50 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||
| PC815I | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 0,05А | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | |||||||||||||||||||||
| PC702V0YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc702v0nszx-datasheets-6779.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | ОДОБРЕНО VDE, ПРИЗНАНО UL | неизвестный | 1 | 1 | 70В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,4 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 40% | 50 мА | 50нА | ||||||||||||||||||||||||
| PC702V0NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc702v0nszx-datasheets-6779.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 1 | 1 | 70В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,4 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 40% | 50 мА | 50нА | ||||||||||||||||||||||||
| PC827BD | Острая микроэлектроника | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 130% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||
| ПК4H520NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4h520nip-datasheets-6744.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 350В | Дарлингтон | 100 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 120 мА | 120 мА | 350В | 1000% при 1 мА | 1,4 В | |||||||||||||||||||||||||
| PC715V0NSZX | Острая микроэлектроника | 2,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc715v0nszx-datasheets-6747.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 170 мВт | 1 | 35В | 50 мА | Дарлингтон | 250 мкс | 250 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | |||||||||||||||||
| ПК450Т11 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc450t11-datasheets-6748.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 1 | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 1,2 В | 50 мкс 30 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 40В | 1500% при 5 мА | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123С | Острая микроэлектроника | $13,59 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||
| PC3H7D | Острая микроэлектроника | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h7-datasheets-6687.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 50 мА | 80В | 120% при 1 мА | 240% при 1 мА | |||||||||||||||||||
| PC3H7C | Острая микроэлектроника | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h7-datasheets-6687.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80% при 1 мА | 160% при 1 мА |
