Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПС2802-4 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | неизвестный | 4 | 4 | 50 мА | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 40В | 1,1 В | 200 мкс 200 мкс | 2000 % | 100 мА | 40В | 200% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2815-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | 1 | 4-ССОП | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2811-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps28111f3-datasheets-6610.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | 1 | 120 мВт | 1 | 4-ССОП | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 40В | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2832-4-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | неизвестный | 4 | 4 | Дарлингтон | 0,05А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 20 мкс 5 мкс | 50 мА | 300В | 60 мА | 300В | 400% при 1 мА | 4500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2811-4 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC8113W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8111-datasheets-2697.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 3 мкс 14 мкс | 90 мА | 70В | 100% при 10 мА | 4,2 мкс, 23 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК367Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc367n-datasheets-6620.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 1,2 В | Транзистор | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 100% при 500 мкА | 500% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ1133SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 300% при 10 мА | 350 нс, 55 мкс | 1,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2761-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СОП (2,54 мм) | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL5582W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx82aw-datasheets-2937.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 100 мА | 50В | 40% при 10 мА | 320% при 10 мА | 20 мкс, 50 мкс (макс.) | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC81073SD | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 70В | 70В | 100 мА | Транзистор | 1 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 50 мА | 1,15 В | 1 мкс 2 мкс | 50 мА | 50 мА | 100% при 10 мА | 300% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| ПК355Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc355n-datasheets-6627.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 0,05А | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 1600% | 80 мА | 600% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2806-4 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | неизвестный | 4 | 4 | Дарлингтон | 0,05А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 200 мкс 200 мкс | 50 мА | 2000% | 100 мА | 40В | 200% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364Н1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc364n1-datasheets-6632.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ113С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | Дарлингтон с базой | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 0,08А | 350 нс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 1,25 В | 1,2 В | 100 мА | 300% | 300% при 10 мА | 350 нс, 55 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| ПС2815-4 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | 4 | 16-ССОП | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2802-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | 1 | 4-ССОП | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 200 мкс 200 мкс | 50 мА | 90 мА | 40В | 200% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2802-4-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | неизвестный | 4 | 4 | 50 мА | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 40В | 1,1 В | 200 мкс 200 мкс | 2000 % | 100 мА | 40В | 200% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПВИ1050НС | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПВИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 4 (72 часа) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pvi1050npbf-datasheets-0154.pdf | 8-SMD (0,300, 7,62 мм), 4 вывода | 8541.40.80.00 | 2 | 2 | Фотоэлектрический | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5 мкА | 5В | 300 мкс, 220 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОКД213Р1М | ОН Полупроводник | 1,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd213r1m-datasheets-6558.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 150 мА | 70В | 100% при 10 мА | 3 мкс, 2,8 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PVI5050N | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПВИ | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pvi1050npbf-datasheets-0154.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм), 4 провода | 1 | 1 | Фотоэлектрический | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ОДИНОКИЙ | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 5 мкА | 5В | 300 мкс, 220 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PVI5080N | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПВИ | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 8-DIP (0,300, 7,62 мм), 4 провода | 1 | 1 | Фотоэлектрический | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ОДИНОКИЙ | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 8мкА | 5В | 300 мкс, 220 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ117ФВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПВИ1050НС-Т | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПВИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pvi1050npbf-datasheets-0154.pdf | 8-SMD (0,300, 7,62 мм), 4 вывода | 8541.40.80.00 | 2 | 2 | Фотоэлектрический | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5 мкА | 5В | 300 мкс, 220 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ111С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | да | совместимый | 1 | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 100 мА | 2мА | 30 В | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2765-1 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СОП | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL5511SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sl55003sd-datasheets-6458.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,23 В | 100 мА | 100 мА | 30 В | 25% при 2 мА | 20 мкс, 50 мкс (макс.) | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ111СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 100 мА | 2мА | 30 В | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2566Л-2 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 8 | неизвестный | 160мВт | 2 | 2 | 40В | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 160 мА | 1,17 В | 100 мкс 100 мкс | 80 мА | 160 мА | 2000% | 400 нА | 200% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL5500SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sl55003sd-datasheets-6458.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,23 В | 100 мА | 30 В | 40% при 10 мА | 300% при 10 мА | 20 мкс, 50 мкс (макс.) | 400мВ |
