Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МОК8112300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8111-datasheets-2697.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 3 мкс 14 мкс | 90 мА | 70В | 50% при 10 мА | 4,2 мкс, 23 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123Б | Острая микроэлектроника | 2,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100% при 5 мА | 250% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC457L0NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПИК™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc457l0nip-datasheets-6709.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Содержит свинец | 5 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 800 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,7 В | 8мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 400 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| ПК3Х715НИП | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h710nip-datasheets-6693.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 140% при 500 мкА | 500% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ111ФР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 60 мА | 2мА | 30 В | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2811-4-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | 4 | 40В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40 мА | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2833-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | неизвестный | 1 | 1 | Дарлингтон | 0,05А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 20 мкс 5 мкс | 50 мА | 350В | 60 мА | 350В | 400% при 1 мА | 4500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2861-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps28611f3-datasheets-6676.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | 1 | 4-СОП | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ117СВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810,002575мг | 6 | да | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 2 мкс | 7500Впик | 6В | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 30 В | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК353Т | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc353t-datasheets-6641.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Содержит свинец | 5 | 1 | 1 | 5-СМД | 80В | Транзистор с базой | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H411NIP | Острая микроэлектроника | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h410nip-datasheets-6680.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL5504 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sl55003sd-datasheets-6458.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,23 В | 100 мА | 100 мА | 80В | 25% при 10 мА | 400% при 10 мА | 50 мкс, 150 мкс (макс.) | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ111СВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810,002575мг | 6 | да | Нет | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 10 мкс | 10 мкс | 7500Впик | 3В | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 2мА | 2мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2806-4-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | неизвестный | 4 | 4 | 50 мА | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 200 мкс 200 мкс | 2000% | 100 мА | 40В | 200% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ117СР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810,002575мг | 6 | да | Нет | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 7500Впик | 6В | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 30 В | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2911-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps29111f3-datasheets-6600.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 4 | 1 | 160мВт | 1 | 4-мини-квартира | 50 мА | 1,3 В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 40В | 1,1 В | 5 мкс 10 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 40 мкс, 120 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357Н0 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc357n3-datasheets-6635.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 1,2 В | Транзистор | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N | Острая микроэлектроника | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc357n3-datasheets-6635.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 1,2 В | Транзистор | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q64 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q64-datasheets-6699.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4 | 4 | 35В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 20% | 50 мА | 100нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК354Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc354n-datasheets-6595.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 20% при 1 мА | 400% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL5500S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sl55003sd-datasheets-6458.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,23 В | 100 мА | 100 мА | 30 В | 40% при 10 мА | 300% при 10 мА | 20 мкс, 50 мкс (макс.) | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ117ФР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2832-4 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | неизвестный | 4 | 4 | Дарлингтон | 0,05А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 20 мкс 5 мкс | 50 мА | 300В | 60 мА | 300В | 400% при 1 мА | 4500% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2815-4-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | 4 | 4 | 16-ССОП | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 40В | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2915-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps29151f3-datasheets-6661.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 4 | 1 | 160мВт | 1 | 4-мини-квартира | 40В | 50 мА | 1,3 В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 1,1 В | 5 мкс 10 мкс | 50 мА | 40 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 40 мкс, 120 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2806-4 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | неизвестный | 4 | 4 | Дарлингтон | 0,05А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 200 мкс 200 мкс | 50 мА | 2000% | 100 мА | 40В | 200% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364Н1 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc364n1-datasheets-6632.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ113С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | Дарлингтон с базой | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 0,08А | 350 нс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 1,25 В | 1,2 В | 100 мА | 300% | 300% при 10 мА | 350 нс, 55 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2815-4 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 | 4 | 16-ССОП | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2802-1-Ф3 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | 1 | 4-ССОП | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 200 мкс 200 мкс | 50 мА | 90 мА | 40В | 200% при 1 мА | 1В |
